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1. (WO2017211144) PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN FILM DE DIOXYDE DE VANADIUM
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N° de publication :    WO/2017/211144    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/082368
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 28.04.2017
CIB :
C30B 29/16 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN/CN]; No.2006, Xiyuan Ave, West Hi-Tech Zone Chengdu, Sichuan 611731 (CN)
Inventeurs : LIN, Yuan; (CN).
LIANG, Weizheng; (CN).
GAO, Min; (CN).
LU, Chang; (CN)
Mandataire : CHENGDU HONGQIAO PATENT LAW OFFICE; Room 301-305, 306-1, 318-320, 3rd Floor Building 1, No.259 Tianren Road, Hi-Tech Zone Chengdu, Sichuan 610000 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610395270.6 06.06.2016 CN
Titre (EN) METHOD FOR GROWING VANADIUM DIOXIDE FILM
(FR) PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN FILM DE DIOXYDE DE VANADIUM
(ZH) 二氧化钒薄膜生长方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to the technique of film manufacturing. The invention addresses an issue of unstable ionic valence state of vanadium(IV) ions when growing vanadium dioxide films, and provides a method for growing a vanadium dioxide film. The technical solution can be summarized in the following: placing a spin coated substrate sample comprising a vanadium ion precursor or substrate sample with a pre-grown VOX film in a quartz boat or corundum boat, then pushing the boat into a tube furnace or a muffle furnace, wherein 1 < X < 2.5; extensively mixing a specified amount of water vapor and nitrogen gas, then injecting the mixed gas into the tube furnace or muffle furnace; and finally setting a sintering procedure of the tube furnace or muffle furnace to sinter the substrate sample and obtaining a vanadium dioxide film grown on the substrate sample. The beneficial effect of the invention is improved quality and performance of a crystal in the vanadium dioxide film. The invention can be applied in vanadium dioxide film manufacturing.
(FR)La présente invention concerne la technique de fabrication d'un film. L'invention porte sur un problème d'état de valence ionique instable d'ions de vanadium (IV) lors de la croissance de films de dioxyde de vanadium et concerne un procédé pour faire croître un film de dioxyde de vanadium. La solution technique peut être résumée par les étapes suivantes, consistant à : placer un échantillon de substrat revêtu par dépôt à la tournette, comprenant un précurseur d'ions de vanadium ou un échantillon de substrat pourvu d'un film de VOX qui a crû préalablement dans une nacelle à quartz ou une nacelle à corindon, puis pousser la nacelle dans un four à tubes ou un four à moufle, dans lequel 1 < X < 2,5; mélanger intensivement une quantité spécifiée de vapeur d'eau et d'azote gazeux, puis injecter le gaz mélangé dans le four à tubes ou le four à moufle; et, enfin, régler un processus de frittage du four à tubes ou du four à moufle pour fritter l'échantillon de substrat et obtenir un film de dioxyde de vanadium qui a crû sur l'échantillon de substrat. L'effet bénéfique de l'invention réside dans une qualité et des performances améliorées d'un cristal dans le film de dioxyde de vanadium. L'invention peut être appliquée dans la fabrication d'un film de dioxyde de vanadium.
(ZH)本发明涉及薄膜制作技术。本发明解决了现有二氧化钒薄膜生长时+4价钒离子价态不稳定的问题,提供了一种二氧化钒薄膜生长方法,其技术方案可概括为:将预先旋涂有含V离子的前驱体的基片样品或预先生长了VOX薄膜的基片样品放入石英舟或刚玉舟内并推入管式炉或马弗炉中,其中,1
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)