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1. (WO2017210958) MASQUE EN DEMI-TEINTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT TFT
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N° de publication : WO/2017/210958 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/089958
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 14.07.2016
CIB :
G03F 1/32 (2012.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No. 9-2 Tangming Road Guangming District of Shenzhen Guangdong 518132, CN
Inventeurs : MO, Chaode; CN
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201610402645.707.06.2016CN
Titre (EN) HALFTONE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) MASQUE EN DEMI-TEINTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT TFT
(ZH) 半色调掩模板及TFT基板的制作方法
Abrégé : front page image
(EN) A halftone mask and a method for manufacturing a TFT substrate. The halftone mask comprises first and second non-transparent regions (910, 920) respectively corresponding to positions of a source electrode and a drain electrode of a TFT, a U-shaped semi-transparent region (930) corresponding to a position of a U-shaped channel region of an active layer of the TFT, two semi-transparent extension regions (940) located at an opening of the U-shaped semi-transparent region (930) and extending towards the outside of the opening, and a fully-transparent region (950) at the remaining area. The semi-transparent extension regions (940) prevent an edge effect, which causes over-development and over-etching, from being generated when the source electrode, the drain electrode and the channel region are formed during patterning, eliminating the issue of unsatisfactory yield rate and production rate of the prior art. The method for manufacturing a TFT substrate adopts the above halftone mask, and is capable of preventing an edge effect, which causes over-development and over-etching, from being generated when a source electrode, a drain electrode and a channel region are formed during patterning, eliminating the issue of unsatisfactory yield rate and production rate of the prior art.
(FR) L'invention concerne un masque en demi-teinte et un procédé de fabrication d'un substrat TFT. Le masque en demi-teinte comprend des première et seconde régions non-transparentes (910, 920) correspondant respectivement aux positions d'une électrode de source et d'une électrode de drain d'un TFT, une région semi-transparente en forme de U (930) correspondant à une position d'une région de canal en forme de U d'une couche active du TFT, deux régions d'extension semi-transparentes (940) situées au niveau d'une ouverture de la région semi-transparente en forme de U (930) et s'étendant vers l'extérieur de l'ouverture, et une région entièrement transparente (950) au niveau de la zone restante. Les régions d'extension semi-transparentes (940) empêchent la génération d'un effet de bord, qui provoque un surdéveloppement et une sur-gravure, lorsque l'électrode de source, l'électrode de drain et la région de canal sont formées pendant la formation de motifs, ce qui élimine le problème de taux de rendement et de taux de production insatisfaisants de l'état de la technique. Le procédé de fabrication d'un substrat TFT adopte le masque en demi-teinte ci-dessus, et est susceptible d'empêcher la génération d'un effet de bord, qui provoque un surdéveloppement et une sur-gravure, lorsqu'une électrode de source, une électrode de drain et une région de canal sont formées pendant la formation de motifs, ce qui élimine le problème de taux de rendement et de taux de production insatisfaisants de l'état de la technique.
(ZH) 一种半色调掩模板及TFT基板的制作方法,半色调掩模板包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域(910,920)、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域(930)、位于该U形的半透光区域(930)开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域(940)、以及剩余的全透光区域(950);该半透光延伸区域(940)可以避免在构图形成源漏极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻,从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。TFT基板的制作方法,采用上述半色调掩模板,可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻,从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)