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1. (WO2017210926) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUE ARRIÈRE À TFT ET PLAQUE ARRIÈRE À TFT

Pub. No.:    WO/2017/210926    International Application No.:    PCT/CN2016/087326
Publication Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue Jun 28 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/77
H01L 27/12
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: ZHANG, Xiaoxing
张晓星
ZHOU, Xingyu
周星宇
HSU, Yuanjun
徐源竣 
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUE ARRIÈRE À TFT ET PLAQUE ARRIÈRE À TFT
Abstract:
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une plaque arrière à transistor à couches minces (TFT) et sur une plaque arrière à TFT. Le procédé comprend : la fabrication d'un TFT de commutation à l'aide d'un oxyde semi-conducteur, les avantages de l'oxyde semi-conducteur, à savoir, le blocage et le déblocage rapides et le courant de fuite relativement faible de l'oxyde semi-conducteur étant utilisés pour améliorer la vitesse de blocage et de déblocage du TFT de commutation et réduire son courant de fuite ; et la fabrication d'un TFT d'attaque à l'aide de silicium polycristallin, les caractéristiques du silicium polycristallin, à savoir, la mobilité électronique et l'uniformité des grains relativement élevées, étant utilisées pour améliorer la mobilité électronique et l'uniformité de sortie de courant du TFT d'attaque, ce qui permet de faciliter l'amélioration de l'uniformité d'émission de lumière d'un dispositif à diodes électroluminescentes organiques (OLED).