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1. (WO2017210923) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FOND DE PANIER À MATRICE ACTIVE ET FOND DE PANIER À MATRICE ACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/210923 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/086725
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 22.06.2016
CIB :
H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
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avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84
le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
周星宇 ZHOU, Xingyu; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201610399170.007.06.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT BACKPLANE AND TFT BACKPLANE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FOND DE PANIER À MATRICE ACTIVE ET FOND DE PANIER À MATRICE ACTIVE
(ZH) TFT背板的制作方法及TFT背板
Abrégé :
(EN) Disclosed are a method for manufacturing a TFT backplane and a TFT backplane. The manufacturing method comprises manufacturing, on a buffer layer (20), an amorphous silicon thin film (310) comprising an oxygen-containing amorphous silicon thin film (311) and an oxygen-free amorphous silicon thin film (312) on the oxygen-containing amorphous silicon thin film, so that when the amorphous silicon thin film is subjected to a crystallization treatment using a boron ion induced solid phase crystallization method, since the contact interface between the amorphous silicon thin film and the buffer layer is the oxygen-containing amorphous silicon thin film, and the oxygen-containing amorphous silicon thin film does not tend to produce a crystal nucleus during high temperature crystallization, generation of a crystal nucleus only occurs in the boron ion doped layer on the upper surface of the amorphous silicon thin film, and the crystallization occurs from top to bottom, the crystalline grain is good in quality, the thin film is good in uniformity, thus achieving the effects of improving the quality of the crystal and improving the uniformity. The TFT backplane has a simple process, in which the crystalline quality and uniformity of the polysilicon layer are better, the performance of the TFT is improved and the driving effect thereof is enhanced.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un fond de panier à matrice active et un fond de panier à matrice active. Le procédé de fabrication comporte la fabrication, sur une couche tampon (20), d'un film mince de silicium amorphe (310) comportant un film mince de silicium amorphe contenant de l'oxygène (311) et un film mince de silicium amorphe exempt d'oxygène (312) sur le film mince de silicium amorphe contenant de l'oxygène, de telle sorte que, quand le film mince de silicium amorphe est soumis à un traitement de cristallisation à l'aide d'un procédé de cristallisation en phase solide induite par un ion bore, puisque l'interface de contact entre le film mince de silicium amorphe et la couche tampon est le film mince de silicium amorphe contenant de l'oxygène, et le film mince de silicium amorphe contenant de l'oxygène n'a pas tendance à produire un noyau cristallin pendant une cristallisation à haute température, la génération d'un noyau cristallin se produit uniquement dans la couche dopée par l'ion bore sur la surface supérieure du film mince en silicium amorphe, et la cristallisation se produit de haut en bas, le grain cristallin est de bonne qualité, le film mince présente une bonne uniformité, ce qui permet d'obtenir les effets d'amélioration de la qualité du cristal et d'amélioration de l'uniformité. Le fond de panier à matrice active présente un processus simple, dans lequel la qualité cristalline et l'uniformité de la couche de polysilicium sont meilleures, les performances de la matrice active sont améliorées et l'effet d'entraînement de celui-ci est amélioré.
(ZH) 一种TFT背板的制作方法及TFT背板。该制作方法通过在缓冲层(20)上制作包括含氧非晶硅薄膜(311)以及位于含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜(312)的非晶硅薄膜(310),使得采用硼离子诱导固相晶化法对非晶硅薄膜进行晶化处理时,由于非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜,而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核,从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中,并且自上而下发生结晶,晶粒质量好,薄膜均一性好,从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。该TFT背板,制程简单,其中多晶硅层的结晶质量与均一性较好,提升了TFT的性能,增强其驱动效果。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)