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1. (WO2017210790) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE POUR LA COMMANDE OU LE COUPLAGE DE CHARGES OU DE SPINS SIMPLES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2017/210790 N° de la demande internationale : PCT/CA2017/050696
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 08.06.2017
CIB :
H01L 39/02 (2006.01) ,G06N 99/00 (2010.01) ,H01L 39/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
99
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
24
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L39/134
Déposants :
SOCPRA SCIENCES ET GÉNIE S.E.C. [CA/CA]; Pavillon Irénée-Pinard, B6-3012 2500, boul. de l'Université Sherbrooke, Québec J1K 2R1, CA
NATIONAL TECHNOLOGY & ENGINEERING SOLUTIONS OF SANDIA, LLC. [US/US]; 1515 Eubank SE Albuquerque, New Mexico 87123, US
Inventeurs :
PIORO-LADRIERE, Michel; CA
ROCHETTE, Sophie; CA
KING GAMBLE, John; US
TEN EYCK, Gregory A; US
RUDOLPH, Martin; US
CARROLL, Malcolm; US
Mandataire :
ANGLEHART, James; Anglehart 1939 de Maisonneuve Ouest Montreal, Québec H3H 1K3, CA
ANGLEHART, James; CA
Données relatives à la priorité :
62/347,34608.06.2016US
Titre (EN) ELECTRONIC CIRCUIT FOR CONTROL OR COUPLING OF SINGLE CHARGES OR SPINS AND METHODS THEREFOR
(FR) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE POUR LA COMMANDE OU LE COUPLAGE DE CHARGES OU DE SPINS SIMPLES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) A quantum dot structure having a split-gate geometry is provided. The quantum dot is configured for incorporation into a quantum dot array of a quantum processing unit. A gap between a reservoir accumulation gate and a quantum dot accumulation gate provides a tunnel barrier between an electric charge reservoir and a quantum dot well. An electrical potential applied to the gates defines a tunnel barrier height, width and charge tunneling rate between the well and the reservoir without relying on any barrier gate to control the charge tunneling rate.
(FR) L'invention concerne une structure de point quantique ayant une géométrie de grille divisée. Le point quantique est conçu pour être incorporé à un réseau de points quantiques d'une unité de traitement quantique. Un espace entre une grille d'accumulation de réservoir et une grille d'accumulation de points quantiques constitue une barrière tunnel entre un réservoir de charges électriques et un puits de points quantiques. Un potentiel électrique appliqué aux grilles définit une hauteur et une largeur de barrière tunnel, et un taux de pénétration de charge entre le puits et le réservoir sans faire appel à une grille de barrière pour commander le taux de tunnelisation de charge.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)