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1. (WO2017210622) STRUCTURES DE TAMPON DE PNICTURE ET DISPOSITIFS POUR APPLICATIONS À BASE DE GAN

Pub. No.:    WO/2017/210622    International Application No.:    PCT/US2017/035794
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Jun 03 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/20
Applicants: IQE, PLC
CLARK, Andrew
DARGIS, Rytis
LEBBY, Michael
PELZEL, Rodney
Inventors: CLARK, Andrew
DARGIS, Rytis
LEBBY, Michael
PELZEL, Rodney
Title: STRUCTURES DE TAMPON DE PNICTURE ET DISPOSITIFS POUR APPLICATIONS À BASE DE GAN
Abstract:
La présente invention concerne une structure qui peut comprendre une couche III-N avec une première constante de réseau, une première couche de pnicture de terre rare ayant une deuxième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la couche III-N, une deuxième couche de pnicture de terre rare ayant une troisième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la première couche de pnicture de terre rare, et une couche de semi-conducteur ayant une quatrième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la deuxième couche de pnicture de terre rare. Une première différence entre la première constante de réseau et la deuxième constante de réseau et la deuxième différence entre la troisième constante de réseau et la quatrième constante de réseau sont inférieures à un pour cent.