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1. (WO2017210622) STRUCTURES DE TAMPON DE PNICTURE ET DISPOSITIFS POUR APPLICATIONS À BASE DE GAN
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N° de publication :    WO/2017/210622    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/035794
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 02.06.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : IQE, PLC [GB/GB]; IQE PLC Head Office Pascal Close St. Mellons, Cardiff CF3 0LW (GB).
CLARK, Andrew [AU/US]; (US) (US only).
DARGIS, Rytis [LT/US]; (US) (US only).
LEBBY, Michael [GB/US]; (US) (US only).
PELZEL, Rodney [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CLARK, Andrew; (US).
DARGIS, Rytis; (US).
LEBBY, Michael; (US).
PELZEL, Rodney; (US)
Mandataire : INGERMAN, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/344,439 02.06.2016 US
62/385,744 09.09.2016 US
Titre (EN) PNICTIDE BUFFER STRUCTURES AND DEVICES FOR GAN BASE APPLICATIONS
(FR) STRUCTURES DE TAMPON DE PNICTURE ET DISPOSITIFS POUR APPLICATIONS À BASE DE GAN
Abrégé : front page image
(EN)A structure can include a III-N layer with a first lattice constant, a first rare earth pnictide layer with a second lattice constant epitaxially grown over the III-N layer, a second rare earth pnictide layer with a third lattice constant epitaxially grown over the first rare earth pnictide layer, and a semiconductor layer with a fourth lattice constant epitaxially grown over the second rare earth pnictide layer. A first difference between the first lattice constant and the second lattice constant and a second difference between the third lattice constant and the fourth lattice constant are less than one percent.
(FR)La présente invention concerne une structure qui peut comprendre une couche III-N avec une première constante de réseau, une première couche de pnicture de terre rare ayant une deuxième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la couche III-N, une deuxième couche de pnicture de terre rare ayant une troisième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la première couche de pnicture de terre rare, et une couche de semi-conducteur ayant une quatrième constante de réseau formée par croissance épitaxiale sur la deuxième couche de pnicture de terre rare. Une première différence entre la première constante de réseau et la deuxième constante de réseau et la deuxième différence entre la troisième constante de réseau et la quatrième constante de réseau sont inférieures à un pour cent.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)