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1. (WO2017210534) DISPOSITIFS PHOTONIQUES INTÉGRÉS BASÉS SUR UNE HÉTÉROSTRUCTURE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
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N° de publication : WO/2017/210534 N° de la demande internationale : PCT/US2017/035646
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 02.06.2017
CIB :
H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22
ayant une structure à nervures ou à bandes
Déposants :
UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 12201 Research Parkway, Suite 501 Orlando, FL 32826, US
Inventeurs :
FATHPOUR, Sasan; US
CHILES, Jeffrey; US
Mandataire :
NOTO, Joseph, M.; US
GREENER, William; US
NOCILLY, David, L.; US
MCGUIRE, George, R.; US
PRICE, Frederick, Jm; US
Données relatives à la priorité :
62/345,39303.06.2016US
Titre (EN) HETERO-STRUCTURE-BASED INTEGRATED PHOTONIC DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS PHOTONIQUES INTÉGRÉS BASÉS SUR UNE HÉTÉROSTRUCTURE, PROCÉDÉS ET APPLICATIONS
Abrégé :
(EN) An integrated photonic structure and a method of fabrication are provided which includes: a substrate having at least one opening disposed therein; a semiconductor stack disposed above the substrate, the semiconductor stack being, at least in part, isolated from the underlying substrate by the at least one opening to define a suspended semiconductor membrane; and a first doped region and a second doped region located within the suspended semiconductor membrane, wherein the first doped region is laterally separated from the second doped region by an optically active region disposed therein that defines a waveguiding region of the integrated photonic structure.
(FR) L'invention concerne une structure photonique intégrée et un procédé de fabrication comprenant : un substrat présentant au moins une ouverture ménagée en son sein ; un empilement de semi-conducteurs ménagé au-dessus du substrat, l'empilement de semi-conducteurs étant, au moins en partie, isolé du substrat sous-jacent par ladite ouverture de façon à délimiter une membrane semi-conductrice suspendue ; et des première et seconde régions dopées situées à l'intérieur de la membrane semi-conductrice suspendue, la première région dopée étant séparée latéralement de la seconde région dopée par une région optiquement active ménagée en son sein qui délimite une région de guide d'ondes de la structure photonique intégrée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)