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1. (WO2017210495) FABRICATION DE PLAQUES PIÉZOÉLECTRIQUES ET RÉCUPÉRATION D'ÉNERGIE PAR LEUR BIAIS
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N° de publication : WO/2017/210495 N° de la demande internationale : PCT/US2017/035561
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 01.06.2017
CIB :
H01L 41/27 (2013.01) ,H01L 41/00 (2013.01) ,H01L 41/02 (2006.01) ,H01L 41/083 (2006.01) ,H03H 3/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
27
Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
083
avec une structure empilée ou multicouche
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
Déposants :
SHARP KABUSHIKI KAISHI [JP/JP]; 1 Takumi-cho, Sakai-ku Sakai City, Osaka, JP
Inventeurs :
CROWDER, Mark; US
ZHAN, Changqing; US
NISHIMURA, Karen; US
SCHUELE, Paul; US
Mandataire :
MALISZEWSKI, Gerald; US
Données relatives à la priorité :
15/171,52102.06.2016US
Titre (EN) FABRICATION AND HARVEST OF PIEZOELECTRIC PLATES
(FR) FABRICATION DE PLAQUES PIÉZOÉLECTRIQUES ET RÉCUPÉRATION D'ÉNERGIE PAR LEUR BIAIS
Abrégé :
(EN) A method is provided for fabricating piezoelectric plates. A sacrificial layer is formed overlying a growth substrate. A template layer, with openings exposing sacrificial layer surfaces, is formed over the sacrificial layer. An adhesion layer / first electrode stack is selectively deposited in the openings overlying the sacrificial layer surfaces, and a piezoelectric material formed in the openings overlying the stack. Then, a second electrode is formed overlying the piezoelectric material. Using the second electrode as a hardmask, the piezoelectric material is etched to form polygon-shaped structures, such as disks, attached to the sacrificial layer surfaces. After removing the template layer and annealing, the polygon-shaped structures are separated from the sacrificial layer. With the proper choice of growth substrate material, the annealing can be performed at a relatively high temperature.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication de plaques piézoélectriques. Une couche sacrificielle est formée superposée à un substrat de croissance. Une couche de gabarit, pourvue d'ouvertures faisant apparaître des surfaces de la couche sacrificielle, est formée sur la couche sacrificielle. Un empilement couche d'adhérence/première électrode est déposé sélectivement dans les ouvertures, superposé auxdites surfaces de la couche sacrificielle, et un matériau piézoélectrique est formé dans les ouvertures, superposé à l'empilement. Une seconde électrode est ensuite formée superposée au matériau piézoélectrique. En utilisant la seconde électrode comme masque dur, le matériau piézoélectrique est gravé afin de former des structures polygonales, telles que des disques, fixées auxdites surfaces de la couche sacrificielle. Après élimination de la couche de gabarit et recuit, les structures polygonales sont séparées de la couche sacrificielle. Par choix approprié du matériau du substrat de croissance, le recuit peut être effectué à une température relativement élevée.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)