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1. (WO2017210324) SYNTHÈSE DE FILMS MINCES DE TÉTRATAÉNITE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE
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N° de publication :    WO/2017/210324    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/035255
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventeurs : LIU, Kai; (US).
DE ROJAS, Julius; (US).
GILBERT, Dustin; (US)
Mandataire : O'BANION, John; (US)
Données relatives à la priorité :
62/343,531 31.05.2016 US
Titre (EN) SYNTHESIS OF TETRATAENITE THIN FILMS VIA RAPID THERMAL ANNEALING
(FR) SYNTHÈSE DE FILMS MINCES DE TÉTRATAÉNITE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)A method for synthesis of high anisotropy L10#191 FeNi (tetrataenite) thin films is provided that combines physical vapor deposition via atomic layer sputtering and rapid thermal annealing with extreme heating and cooling speeds. The methods can induce L10#191-ordering in FeNi thin films. The process uses a base composite film of a support substrate, a seed layer, a multilayer thin film of FeNi with alternating single atomic layers of Fe and Ni that mimics the atomic plane of the final L10#191 FeNi alloy, and a capping layer. The Fe and Ni bilayers are grown on top of a Si substrate with a thermally oxidized SiO2#191 seed layer to mechanically strain the sample during rapid thermal annealing.
(FR)L'invention concerne un procédé de synthèse de films minces de FeNi L10#191 à forte anisotropie (tétrataaenite) qui combine un dépôt physique en phase vapeur par pulvérisation de couche atomique et un recuit thermique rapide à des vitesses de chauffage et de refroidissement extrêmes. Les procédés peuvent induire une mise en ordre L10#191 dans des films minces de FeNi. Le procédé utilise un film composite de base composé d'un substrat de support, d'une couche de germe, d'un film mince multicouche de FeNi comportant des monocouches atomiques de Fe et de Ni alternées qui imitent le plan atomique de l'alliage FeNi L10#191 final, et d'une couche de recouvrement. Les bicouches de Fe et Ni sont formées par croissance sur le dessus d'un substrat Si avec une couche de germe de SiO2#191 thermiquement oxydée pour contraindre mécaniquement l'échantillon pendant un recuit thermique rapide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)