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1. (WO2017210263) NITRURATION D'OXYDE TUNNEL PAR L'AMMONIAC HAUTE PRESSION POUR APPLICATIONS NAND 3D

Pub. No.:    WO/2017/210263    International Application No.:    PCT/US2017/035151
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/02
C23C 8/36
H01L 21/28
H01L 21/67
H01L 21/324
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: OLSEN, Christopher, S.
Title: NITRURATION D'OXYDE TUNNEL PAR L'AMMONIAC HAUTE PRESSION POUR APPLICATIONS NAND 3D
Abstract:
Selon des modes de réalisation, l'invention concerne d'une manière générale un système de formation d'une structure semi-conductrice. Une chambre de traitement comprend un corps de chambre, un dispositif de support de substrat, une enveloppe en quartz, un ou plusieurs dispositifs de chauffage, un ensemble d'injection de gaz et un dispositif de pompage. Le corps de chambre délimite un volume intérieur. Le dispositif de support de substrat est conçu pour supporter un ou plusieurs substrats pendant le traitement. L'enveloppe en quartz est disposée dans la chambre de traitement. L'enveloppe en quartz est configurée pour loger le dispositif de support de substrat. Les dispositifs de chauffage sont disposés autour de l'enveloppe en quartz. L'ensemble d'injection de gaz est raccordé à la chambre de traitement. L'ensemble d'injection de gaz est conçu pour fournir un gaz NH3 au volume intérieur de la chambre de traitement. Le dispositif de pompage est raccordé à la chambre de traitement. Le dispositif de pompage est conçu pour maintenir la chambre de traitement à une pression d'au moins 10 atm.