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1. (WO2017210235) STRUCTURES DE PASSIVATION DE SURFACE À PLUSIEURS ÉCHELONS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/210235    International Application No.:    PCT/US2017/035090
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/778
H01L 29/78
H01L 29/772
H01L 29/205
H01L 29/66
H01L 29/02
Applicants: EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION
Inventors: BEACH, Robert
STRITTMATTER, Robert
ZHOU, Chunhua
ZHAO, Guangyuan
CAO, Jianjun
Title: STRUCTURES DE PASSIVATION DE SURFACE À PLUSIEURS ÉCHELONS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor au nitrure de gallium (GaN) qui comprend au moins deux régions d'interface isolant/semi-conducteur (isolateurs). Un premier isolateur placé entre la grille et le drain (près de la grille) réduit au minimum la fuite de grille et les champs près de la grille qui provoquent une forte charge grille-drain (Qgd). Un second isolateur (ou plusieurs isolateurs), placé entre le premier isolateur et le drain, réduit au minimum les champs électriques au niveau du contact de drain et procure une densité élevée de charge dans le canal pour une faible résistance à l'état passant.