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1. (WO2017210235) STRUCTURES DE PASSIVATION DE SURFACE À PLUSIEURS ÉCHELONS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/210235    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/035090
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/02 (2006.01)
Déposants : EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION [US/US]; 909 N. Sepulveda Boulevard Suite 230 El Segundo, California 90245 (US)
Inventeurs : BEACH, Robert; (US).
STRITTMATTER, Robert; (US).
ZHOU, Chunhua; (US).
ZHAO, Guangyuan; (US).
CAO, Jianjun; (US)
Mandataire : SOFFEN, Stephen A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/344,151 01.06.2016 US
62/468,151 07.03.2017 US
Titre (EN) MULTI-STEP SURFACE PASSIVATION STRUCTURES AND METHODS FOR FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURES DE PASSIVATION DE SURFACE À PLUSIEURS ÉCHELONS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A gallium nitride (GaN) transistor which includes two or more insulator semiconductor interface regions (insulators). A first insulator disposed between the gate and drain (near the gate) minimizes the gate leakage and fields near the gate that cause high gate-drain charge (Qgd). A second insulator (or multiple insulators), disposed between the first insulator and the drain, minimizes electric fields at the drain contact and provides a high density of charge in the channel for low on-resistance.
(FR)L'invention concerne un transistor au nitrure de gallium (GaN) qui comprend au moins deux régions d'interface isolant/semi-conducteur (isolateurs). Un premier isolateur placé entre la grille et le drain (près de la grille) réduit au minimum la fuite de grille et les champs près de la grille qui provoquent une forte charge grille-drain (Qgd). Un second isolateur (ou plusieurs isolateurs), placé entre le premier isolateur et le drain, réduit au minimum les champs électriques au niveau du contact de drain et procure une densité élevée de charge dans le canal pour une faible résistance à l'état passant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)