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1. (WO2017210140) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2017/210140    International Application No.:    PCT/US2017/034860
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat May 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/67
H01L 21/3213
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
Inventors: RANJAN, Alok
RASTOGI, Vinayak
SHERPA, Sonam D.
Title: PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM
Abstract:
Selon divers modes de réalisation, l'invention porte sur un procédé de traitement de substrat pour une gravure sélective de SiN par rapport à d'autres couches utilisées dans la fabrication de composants à semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, le procédé de traitement de substrat consiste à placer dans une chambre de traitement par plasma un substrat contenant un premier matériau contenant du nitrure de silicium et un second matériau qui est différent du premier matériau, à former un gaz de traitement excité par plasma contenant NF3 et O2, et à exposer le substrat au gaz de traitement excité par plasma afin de graver sélectivement le premier matériau par rapport au second matériau. Selon un mode de réalisation, le second matériau peut être choisi dans le groupe constitué par Si, SiO2 et une combinaison correspondante.