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1. (WO2017210139) PROCÉDÉ D'EXTRACTION DE SILICIUM À L'AIDE D'UN PLASMA D'HYDROGÈNE
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N° de publication :    WO/2017/210139    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/034852
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : SHERPA, Sonam D.; (US).
RANJAN, Alok; (JP)
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; (US)
Données relatives à la priorité :
62/342,992 29.05.2016 US
Titre (EN) METHOD OF SILICON EXTRACTION USING A HYDROGEN PLASMA
(FR) PROCÉDÉ D'EXTRACTION DE SILICIUM À L'AIDE D'UN PLASMA D'HYDROGÈNE
Abrégé : front page image
(EN)A method of silicon extraction using a hydrogen plasma has been disclosed in various embodiments. The substrate processing method includes providing a substrate containing a first material consisting of silicon and a second material that is different from the first material, forming a plasma-excited process gas containing H2 and optionally Ar, and exposing the substrate to the plasma-excited process gas to selectively etch the first material relative to the second material. According to one embodiment, the second material is selected from the group consisting of SiN, SiO2, and a combination thereof.
(FR)Divers modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé d'extraction de silicium à l'aide d'un plasma d'hydrogène. Le procédé de traitement de substrat comprend l'utilisation d'un substrat comportant une première substance constituée de silicium et d'une seconde substance qui est différente de la première substance, la formation d'un gaz de traitement excité par un plasma comportant du H2 et éventuellement de l'argon, et l'exposition du substrat au gaz de traitement excité par le plasma en vue d'attaquer sélectivement la première substance par rapport à la seconde substance. Selon un mode de réalisation, la seconde substance est choisie dans le groupe constitué par SiN, SiO2 et par une combinaison de ces derniers.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)