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1. (WO2017210128) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLES DE MÉTROLOGIE ORIENTÉES SELON UN ANGLE TOURNÉ PAR RAPPORT AUX CARACTÉRISTIQUES DU DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/210128    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/034779
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/033 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : LEE, Myungjun; (US).
SMITH, Mark D.; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M. N; (US)
Données relatives à la priorité :
62/342,986 29.05.2016 US
15/224,290 29.07.2016 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING METROLOGY TARGETS ORIENTED WITH AN ANGLE ROTATED WITH RESPECT TO DEVICE FEATURES
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLES DE MÉTROLOGIE ORIENTÉES SELON UN ANGLE TOURNÉ PAR RAPPORT AUX CARACTÉRISTIQUES DU DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A lithography system includes an illumination source including two illumination poles separated along a first direction and symmetrically distributed around an optical axis, a pattern mask to receive illumination from the illumination source, and a set of projection optics to generate an image corresponding to the pattern mask onto a sample. The pattern mask includes a metrology target pattern mask and device pattern mask elements. The device pattern mask elements are distributed along the first direction with a device separation distance. The metrology target pattern mask includes a set of metrology target pattern mask elements having a diffraction pattern corresponding to that of the device pattern mask elements. A metrology target generated on the sample associated with the metrology target pattern mask is characterizable along a second direction and has printing characteristics corresponding to those of device pattern elements generated on the sample associated with the device pattern mask elements.
(FR)Un système de lithographie comprend une source d'éclairage comprenant deux pôles d'éclairage séparés le long d'une première direction et répartis symétriquement autour d'un axe optique, un masque à motif pour recevoir l'éclairage provenant de la source d'éclairage, et un ensemble d'optiques de projection pour générer une image correspondant au masque à motif sur un échantillon. Le masque à motif comprend un masque à motif de cible de métrologie et des éléments de masque à motif de dispositif. Les éléments de masque à motif de dispositif sont distribués le long de la première direction avec une distance de séparation de dispositif. Le masque à motif de cible de métrologie comprend un ensemble d'éléments de masque à motif de cible de métrologie ayant un diagramme de diffraction correspondant à celui des éléments de masque à motif de dispositif. Une cible de métrologie générée sur l'échantillon associé au masque à motif de cible de métrologie peut être caractérisée le long d'une seconde direction et présente des caractéristiques d'impression correspondant à celles des éléments de motif de dispositif générés sur l'échantillon associé aux éléments de masque à motif de dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)