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1. (WO2017209929) CIRCUIT DE MÉMOIRE COMPRENANT UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE ET UN TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ UTILISÉ DANS LA FORMATION D’UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE ET D’UN TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/209929    International Application No.:    PCT/US2017/032631
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue May 16 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/11582
H01L 27/1157
H01L 27/11573
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors: ZHU, Hongbin
SANDHU, Gurtej, S.
PAREKH, Kunal, R.
Title: CIRCUIT DE MÉMOIRE COMPRENANT UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE ET UN TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ UTILISÉ DANS LA FORMATION D’UNE CHAÎNE VERTICALE DE CELLULES DE MÉMOIRE ET D’UN TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un procédé utilisé dans la formation d’une chaîne verticale de cellules de mémoire et d’un trou d'interconnexion conducteur qui comprend la formation d'une première ouverture inférieure et d'une deuxième ouverture inférieure dans un matériau inférieur. Un premier matériau est formé à l'intérieur des première et deuxième ouvertures inférieures. Un matériau supérieur est formé au-dessus du matériau inférieur et au-dessus du premier matériau dans les première et deuxième ouvertures inférieures. Une première ouverture supérieure est formée à travers le matériau supérieur jusqu'au premier matériau dans la première ouverture inférieure. Au moins une majorité du premier matériau est enlevée de la première ouverture inférieure à travers la première ouverture supérieure et un matériau de canal est formé à l'intérieur des premières ouvertures inférieures et des premières ouvertures supérieures pour la chaîne verticale de cellules de mémoire étant formée. Après formation du matériau de canal, une deuxième ouverture supérieure est formée à travers le matériau supérieur jusqu'au premier matériau dans la deuxième ouverture inférieure. Un matériau conducteur du trou d'interconnexion conducteur est formé à l'intérieur de la deuxième ouverture supérieure. L’invention concerne des modes de réalisation de structure indépendants du procédé de formation.