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1. (WO2017209913) MATÉRIAU À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF STRUCTURALEMENT SOUPLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/209913 N° de la demande internationale : PCT/US2017/031859
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 10.05.2017
CIB :
B29C 33/02 (2006.01) ,H01C 7/02 (2006.01) ,H01C 1/14 (2006.01) ,H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 23/62 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29
TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
C
FAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
33
Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires
02
comportant des moyens incorporés de chauffage ou de refroidissement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
C
RÉSISTANCES
7
Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
02
à coefficient de température positif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
C
RÉSISTANCES
1
Détails
14
Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
66
Adaptations pour la haute fréquence
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62
Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
Déposants :
LITTELFUSE, INC. [US/US]; 8755 West Higgins Road Suite 500 Chicago, Illinois 60631, US
Inventeurs :
TSANG, Chun-Kwan; US
CHEN, Jianhua; US
Mandataire :
DAISAK, Daniel N.; US
Données relatives à la priorité :
15/168,54631.05.2016US
Titre (EN) STRUCTURALLY RESILIENT POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT MATERIAL AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) MATÉRIAU À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF STRUCTURALEMENT SOUPLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Structurally supported positive temperature coefficient (PTC) materials are disclosed. Furthermore, methods to provide structurally supported PTC materials are disclosed. In one implementation, a structurally supported PTC material includes a support structure that is at least partially covered by a PTC material. In one example, the support structure is a mesh material integrated at least partially in the PTC material.
(FR) L'invention concerne des matériaux à coefficient de température positif (CTP) à support structural. En outre, l'invention concerne des procédés pour obtenir des matériaux CTP à support structural. Dans un mode de réalisation, un matériau CTP à support structural comprend une structure de support qui est au moins partiellement revêtue d'un matériau CTP. Dans un exemple, la structure de support est un matériau à maille intégré au moins partiellement dans le matériau CTP.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)