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1. (WO2017209900) PLATEFORME SOUS VIDE AVEC CHAMBRES DE TRAITEMENT POUR L'ÉLIMINATION DE CONTAMINANTS DE CARBONE ET D'OXYDE DE SURFACE À PARTIR DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/209900 N° de la demande internationale : PCT/US2017/031590
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 08.05.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : LO, Kin Pong; US
CHU, Schubert S.; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
TACKETT, Keith M.; US
Données relatives à la priorité :
15/499,10027.04.2017US
62/345,16003.06.2016US
62/491,14327.04.2017US
Titre (EN) A VACUUM PLATFORM WITH PROCESS CHAMBERS FOR REMOVING CARBON CONTAMINANTS AND SURFACE OXIDE FROM SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PLATEFORME SOUS VIDE AVEC CHAMBRES DE TRAITEMENT POUR L'ÉLIMINATION DE CONTAMINANTS DE CARBONE ET D'OXYDE DE SURFACE À PARTIR DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to an improved vacuum processing system. In one implementation, the vacuum processing system includes a first transfer chamber coupling to at least one epitaxy process chamber, a second transfer chamber, a transition station disposed between the first transfer chamber and the second transfer chamber, a first plasma-cleaning chamber coupled to the second transfer chamber for removing oxides from a surface of a substrate, and a load lock chamber coupled to the second transfer chamber. The transition station connects to the first transfer chamber and the second transfer chamber, and the transition station includes a second plasma-cleaning chamber for removing carbon-containing contaminants from the surface of the substrate.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne de manière générale un système de traitement sous vide amélioré. Selon un mode de réalisation, le système de traitement sous vide comporte une première chambre de transfert pour un couplage à au moins une chambre de dépôt épitaxial, une seconde chambre de transfert, une station de transition disposée entre la première chambre de transfert et la seconde chambre de transfert, une première chambre de nettoyage au plasma couplée à la seconde chambre de transfert pour éliminer des oxydes depuis une surface d'un substrat, et une chambre de sas de chargement couplée à la seconde chambre de transfert. La station de transition est reliée à la première chambre de transfert et à la seconde chambre de transfert, et la station de transition comporte une seconde chambre de nettoyage au plasma pour l'élimination des contaminants contenant du carbone depuis la surface du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)