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1. (WO2017209858) DÉTECTION BASÉE SUR UN MIROIR DE CHARGE POUR UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
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N° de publication :    WO/2017/209858    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/029099
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : GUO, Xinwei; (US).
VIMERCATI, Daniele; (US)
Mandataire : HARRIS, Philip W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/173,310 03.06.2016 US
Titre (EN) CHARGE MIRROR-BASED SENSING FOR FERROELECTRIC MEMORY
(FR) DÉTECTION BASÉE SUR UN MIROIR DE CHARGE POUR UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods, systems, and devices for a sensing scheme that extracts the full or nearly full remnant polarization charge difference between two logic states of a ferroelectric memory cell or cells is described. The scheme employs a charge mirror to extract the full charge difference between the two states of a selected memory cell. The charge mirror may transfer the memory cell polarization charge to an amplification capacitor. The signal on the amplification capacitor may then be compared with a reference voltage to detect the logic state of the memory cell.
(FR)L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs de procédé de détection qui extrait la différence de charge de polarisation résiduelle complète ou presque complète entre deux états logiques d'une cellule ou de cellules de mémoire ferroélectrique. Le procédé utilise un miroir de charge pour extraire la différence de charge complète entre les deux états d'une cellule de mémoire sélectionnée. Le miroir de charge peut transférer la charge de polarisation de cellule de mémoire à un condensateur d'amplification. Le signal sur le condensateur d'amplification peut ensuite être comparé à une tension de référence pour détecter l'état logique de la cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)