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1. (WO2017209825) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS DE CARBURE DE SILICIUM DE PUISSANCE À SUPERJONCTION FORMÉS PAR DES TECHNIQUES DE CANALISATION D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2017/209825 N° de la demande internationale : PCT/US2017/022240
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 14.03.2017
CIB :
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/04 (2006.01)
Déposants : CREE, INC.[US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Inventeurs : VAN BRUNT, Edward Robert; US
SUVOROV, Alexander V.; US
PALA, Vipindas; US
LICHTENWALNER, Daniel J.; US
ZHANG, Qingchun; US
Mandataire : AYERS, D. Randal; US
Données relatives à la priorité :
15/168,31031.05.2016US
Titre (EN) SUPERJUNCTION POWER SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED VIA ION IMPLANTATION CHANNELING TECHNIQUES AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS DE CARBURE DE SILICIUM DE PUISSANCE À SUPERJONCTION FORMÉS PAR DES TECHNIQUES DE CANALISATION D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN) Semiconductor devices include a silicon carbide drift region having an upper portion and a lower portion. A first contact is on the upper portion of the drift region and a second contact is on the lower portion of the drift region. The drift region includes a superjunction structure that includes a p-n junction that is formed so as to extend within +/-1.5° of a crystallography axis of the silicon carbide material forming the drift region.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs comprenant une région de dérive en carbure de silicium ayant une partie supérieure et une partie inférieure. Un premier contact se trouve sur la partie supérieure de la région de dérive et un second contact se trouve sur la partie inférieure de la région de dérive. La région de dérive comprend une structure de superjonction qui comprend une jonction p-n qui est formée de façon à s'étendre à l'intérieur de +/-1,5° d'un axe de cristallographie du matériau de carbure de silicium formant la région de dérive.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)