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1. (WO2017209812) MÉMOIRE NON VOLATILE À COMMANDE PERSONNALISÉE DU TYPE D'INJECTION DE PERTURBATIONS PENDANT LES OPÉRATIONS DE LECTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/209812 N° de la demande internationale : PCT/US2017/018758
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 21.02.2017
CIB :
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/08 (2006.01) ,G11C 16/28 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs : CHEN, Hong-Yan; US
DONG, Yingda; US
Mandataire : MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/172,67103.06.2016US
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY WITH CUSTOMIZED CONTROL OF INJECTION TYPE OF DISTURB DURING READ OPERATIONS
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE À COMMANDE PERSONNALISÉE DU TYPE D'INJECTION DE PERTURBATIONS PENDANT LES OPÉRATIONS DE LECTURE
Abrégé : front page image
(EN) A non-volatile memory system includes one or more control circuits configured to read memory cells. The reading of the programmed memory cells includes applying one or more voltages to perform boosting of a channel region associated with unselected memory cells, allowing the boosting of the channel region for a portion of time while applying the one or more voltages, preventing/interrupting the boosting of the channel region while applying the one or more voltages for a duration of time based on position of a memory cell selected for verification, applying a compare signal to the memory cell selected for reading, and performing a sensing operation for the memory cell selected for reading in response to the compare signal.
(FR) L'invention concerne un système de mémoire non volatile comprenant un ou plusieurs circuits de commande configurés pour lire des cellules de mémoire. La lecture de cellules de mémoire programmées consiste à appliquer une ou plusieurs tensions pour effectuer une amplification d'une région de canal associée à des cellules de mémoire non sélectionnées, cela permettant d'amplifier la région de canal pendant un intervalle de temps tout en appliquant la ou les tension(s), à empêcher ou à interrompre l'amplification de la région de canal tout en appliquant la ou les tensions pendant un intervalle de temps en fonction de la position d'une cellule de mémoire sélectionnée pour la vérification, à appliquer un signal de comparaison à la cellule de mémoire sélectionnée pour la lecture, et à réaliser une opération de détection concernant la cellule de mémoire sélectionnée pour la lecture en réponse au signal de comparaison.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)