Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017209457) HÉTÉROSTRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POURVUE D'AU MOINS UNE COUCHE DE COMMANDE DE CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/209457 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/005521
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
12
ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
Déposants :
SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15429, KR
SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 110 Atlas Ct. Columbia, South Carolina 29209, US
Inventeurs :
SHUR, Michael; US
DOBRINSKY, Alexander; US
SHATALOV, Maxim S.; US
Mandataire :
AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
15/602,65123.05.2017US
62/344,17901.06.2016US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE WITH AT LEAST ONE STRESS CONTROL LAYER
(FR) HÉTÉROSTRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POURVUE D'AU MOINS UNE COUCHE DE COMMANDE DE CONTRAINTE
Abrégé :
(EN) A semiconductor heterostructure for an optoelectronic device is disclosed. The semiconductor heterostructure includes at least one stress control layer within a plurality of semiconductor layers used in the optoelectronic device. Each stress control layer includes stress control regions separated from adjacent stress control regions by a predetermined spacing. The stress control layer induces one of a tensile stress and a compressive stress in an adjacent semiconductor layer.
(FR) L'invention concerne une hétérostructure semi-conductrice destinée à un dispositif optoélectronique. L'hétérostructure semi-conductrice comprend au moins une couche de commande de contrainte à l'intérieur d'une pluralité de couches semi-conductrices utilisées dans le dispositif optoélectronique. Chaque couche de commande de contrainte comprend des régions de commande de contrainte séparées de régions de commande de contrainte adjacentes par un espacement prédéterminé. La couche de commande de contrainte suscite soit une contrainte de traction soit une contrainte de compression dans une couche semi-conductrice adjacente.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)