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1. (WO2017209178) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET STRATIFIÉ
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N° de publication : WO/2017/209178 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/020251
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 3/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
40
Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
027
Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
10
dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
犬島 孝能 INUJIMA Takayoshi; JP
沢野 充 SAWANO Mitsuru; JP
前原 佳紀 MAEHARA Yoshiki; JP
Mandataire :
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2016-11111502.06.2016JP
Titre (EN) PATTERN PRODUCTION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, AND LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET STRATIFIÉ
(JA) パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体
Abrégé :
(EN) A pattern production method which makes it possible to directly peel the transparent substrate from a laminate comprising a transparent substrate and a resin pattern (for example, an insulation layer) positioned on the surface of the transparent substrate; a semiconductor device production method; and a laminate are provided. This pattern production method involves a peeling step for peeling a transparent substrate from a laminate by irradiating the transparent substrate side of the laminate, which comprises a transparent substrate and a resin pattern positioned on the surface of the transparent substrate, wherein the resin pattern contains at least one type selected from polyimide and polybenzoxazole, and the absorbance of the resin pattern in the wavelength of the irradiation is greater than or equal to 0.5.
(FR) La présente invention se rapporte : à un procédé de fabrication de motif qui permet de décoller directement le substrat transparent d'un stratifié comprenant un substrat transparent et un motif en résine (par exemple une couche isolante) positionné sur la surface du substrat transparent ; à un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs ; et à un stratifié. Ce procédé de fabrication de motif comporte une étape de décollement qui permet de décoller un substrat transparent d'un stratifié grâce à l'exposition à la lumière du côté substrat transparent du stratifié comprenant un substrat transparent et un motif en résine positionné sur la surface dudit substrat transparent, le motif en résine contenant au moins un type choisi parmi du polyimide et du polybenzoxazole, et l'absorbance du motif en résine dans la longueur d'onde de l'exposition à la lumière étant supérieure ou égale à 0,5.
(JA) 透明基板と、上記透明基板の表面に位置する樹脂パターン(例えば、絶縁層)を有する積層体から、透明基板を直接に剥離することが可能なパターン製造方法、ならびに、半導体装置の製造方法および積層体の提供。透明基板と、透明基板の表面に位置する樹脂パターンを有する積層体に、積層体の透明基板側から放射光を照射して、積層体から透明基板を剥離する剥離工程を含み、樹脂パターンが、ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールから選択される少なくとも1種を含み、照射する放射光の波長における樹脂パターンの吸光度が0.5以上である、パターン製造方法。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)