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1. (WO2017208941) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/208941    International Application No.:    PCT/JP2017/019414
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu May 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/48
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YONEDA, Yutaka
米田 裕
KIKUCHI, Masao
菊池 正雄
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant un substrat isolant (5) ayant des motifs conducteurs (52a, 52b) sur les deux côtés d'un matériau de base isolant (51), un élément semi-conducteur (1) monté sur l'un des motifs conducteurs, et une borne d'électrode (3) liée audit motif conducteur au moyen d'un matériau de brasage dur (10), la borne d'électrode ayant une capacité thermique par unité de surface supérieure à la capacité thermique par unité de surface dans ledit motif conducteur.