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1. (WO2017208826) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT LOGIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE COMMANDE DE LUMIÈRE
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N° de publication : WO/2017/208826 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/018560
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 17.05.2017
CIB :
C23C 16/46 (2006.01) ,C01B 21/064 (2006.01) ,C01G 39/06 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
46
caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
21
Azote; Ses composés
06
Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore
064
avec le bore
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
39
Composés du molybdène
06
Sulfures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : KADONO, Koji; JP
IMAIZUMI, Shinji; JP
Mandataire : OMORI, Junichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-10717330.05.2016JP
Titre (EN) THIN FILM MANUFACTURING METHOD, THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD, LOGIC CIRCUIT MANUFACTURING METHOD, LIGHT-EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT CONTROL ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT LOGIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE COMMANDE DE LUMIÈRE
(JA) 薄膜製造方法、薄膜製造装置、光電変換素子の製造方法、論理回路の製造方法、発光素子の製造方法及び調光素子の製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a thin film manufacturing method, a thin film manufacturing apparatus, a photoelectric conversion element manufacturing method, a logic circuit manufacturing method, a light-emitting element manufacturing method, and a light control element manufacturing method with which layer number control and heterogeneous lamination film formation are possible. [Solution] This thin film manufacturing method: brings an electrically conductive object on which a film is to be formed into contact with a first terminal and a second terminal and applies a voltage across the first terminal and the second terminal to heat a first region, which is the region of the object on which a film is to be formed between the first terminal and the second terminal; and forms a thin film in the first region by supplying a film-forming feedstock to the first region and controlling the reaction time so that a thin film with the intended number of layers is formed.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé et un appareil de fabrication de film mince, un procédé de fabrication d'élément de conversion photoélectrique, un procédé de fabrication de circuit logique, un procédé de fabrication d'un élément émetteur de lumière et un procédé de fabrication d'un élément de commande de lumière permettant de commander le nombre de couches et la formation d'un film de stratification hétérogène. La solution consiste en un procédé de fabrication de film mince, laquelle : amène un objet électriquement conducteur, sur lequel un film doit être formé, en contact avec une première borne et une seconde borne et applique une tension entre la première borne et la seconde borne afin de chauffer une première région, qui est la région de l'objet sur laquelle un film doit être formé entre la première borne et la seconde borne; et forme un film mince dans la première région en fournissant une charge d'alimentation filmogène à la première région et en commandant le temps de réaction de telle sorte qu'un film mince ayant le nombre voulu de couches soit formé.
(JA) 【課題】層数制御及び異種積層成膜が可能な薄膜製造方法、薄膜製造装置、光電変換素子の製造方法、論理回路の製造方法、発光素子の製造方法及び調光素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】本技術に係る薄膜製造方法は、導電性を有する成膜対象物を第1の端子と第2の端子に当接させ、第1の端子と第2の端子の間に電圧を印加して、成膜対象物の第1の端子と第2の端子の間の領域である第1の領域を加熱し、第1の領域に成膜原料を供給し、所望の層数を有する薄膜が成膜されるように反応時間を制御して第1の領域に薄膜を成膜する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)