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1. (WO2017208806) ÉLÉMENT D’IMAGERIE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT D’IMAGERIE, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/208806    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/018343
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 16.05.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : KOBAYASHI, Hajime; (JP).
TOKITA, Yuichi; (JP)
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-111096 02.06.2016 JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D’IMAGERIE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT D’IMAGERIE, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像素子の製造方法ならびに撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)An imaging element according to one embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode and a second electrode, which are arranged so as to face each other; and a photoelectric conversion layer which contains a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and which is arranged between the first electrode and the second electrode. The photoelectric conversion layer has an exciton charge separation rate of from 1 × 1010 s-1 to 1 × 1016 s-1 (inclusive) at a p/n junction surface that is formed by the p-type semiconductor and the n-type semiconductor.
(FR)Un élément d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : une première électrode et une seconde électrode, qui sont disposées de manière à se faire face; et une couche de conversion photoélectrique qui contient un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n, et qui est disposé entre la première électrode et la seconde électrode. la couche de conversion photoélectrique a un débit de séparation de charge exciton qui va de 1 × 1010 s-1 to 1 × 1016 s-1 (inclue) à une surface de jonction p/n qui est formé par un semi-conducteur de type p et un semi conducteur de type n
(JA)本開示の一実施形態の撮像素子は、対向配置された第1電極および第2電極と、p型半導体およびn型半導体を含むと共に、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層とを備えたものであり、光電変換層は、p型半導体およびn型半導体によって形成されるp/n接合面において1×1010-1以上1×1016-1以下の励起子電荷分離率を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)