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1. (WO2017208767) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/208767    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/017824
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 11.05.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), C11D 7/28 (2006.01), C11D 17/08 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), C11D 7/50 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TAKAHASHI Tomonori; (JP).
KAMIMURA Tetsuya; (JP)
Mandataire : NAKASHIMA Junko; (JP).
YONEKURA Junzo; (JP).
MURAKAMI Yasunori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-112011 03.06.2016 JP
Titre (EN) TREATMENT LIQUID, SUBSTRATE CLEANING METHOD AND METHOD FOR REMOVING RESIST
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE
(JA) 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a treatment liquid which is capable of reducing the occurrence of defects and has excellent corrosion prevention properties for metal layers that are contained in a semiconductor device, while exhibiting excellent ability of removing a resist that is used during the production of a semiconductor device; a substrate cleaning method; and a method for removing a resist. A treatment liquid according to the present invention is a treatment liquid for semiconductor devices, which contains an organic alkali compound, an anti-corrosion agent, an organic solvent, Ca, Fe and Na; and all of the mass ratio of Ca, the mass ratio of Fe and the mass ratio of Na to the organic alkali compound in the treatment liquid are from 10-12 to 10-4. A substrate cleaning method and a method for removing a resist according to the present invention use this treatment liquid.
(FR)La présente invention porte sur un liquide de traitement qui est apte à réduire l'apparition de défauts et qui présente d'excellentes propriétés de prévention de la corrosion pour des couches métalliques qui sont comprises dans un dispositif à semi-conducteur, tout en démontrant une excellente capacité d'élimination d'une résine photosensible qui est utilisée pendant la fabrication du dispositif à semi-conducteur ; un procédé de nettoyage de substrat ; et un procédé d'élimination d'une résine photosensible. Le liquide de traitement selon la présente invention est un liquide de traitement pour dispositifs à semi-conducteur, qui comprend un composé alcalin organique, un agent anticorrosion, un solvant organique, Ca, Fe et Na ; et la proportion massique de Ca, la proportion massique de Fe et la proportion massique de Na par rapport au composé alcalin organique dans le liquide de traitement se situent toutes entre 10-12 et 10-4. Le procédé de nettoyage de substrat et le procédé d'élimination d'une résine photosensible selon la présente invention utilisent ce liquide de traitement.
(JA)欠陥の発生を低減でき、半導体デバイスに含まれる金属層に対する腐食防止性に優れ、かつ、半導体デバイスの製造時に使用されるレジストの除去性にも優れた処理液を提供し、基板洗浄方法およびレジストの除去方法を提供する。処理液は、有機アルカリ化合物と、防食剤と、有機溶剤と、Caと、Feと、Naと、を含有する半導体デバイス用の処理液であり、上記処理液中、上記有機アルカリ化合物に対する、上記Caの質量割合、上記Feの質量割合および上記Naの質量割合がいずれも、10-12~10-4である。基板洗浄方法およびレジストの除去方法は、上記処理液を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)