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1. (WO2017208734) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2017/208734    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/017427
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 08.05.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Shoji; (JP).
SHIIGI, Takashi; (JP).
HOSHI, Yasuyuki; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-111759 03.06.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A main semiconductor element (10) and a temperature-sensing part (20) are disposed on the same silicon carbide substrate (100). The main semiconductor element (10) is a vertical MOSFET, and the temperature-sensing part (20) is a lateral diode. An anode region of the temperature-sensing part (20) is connected, on the surface of the silicon carbide substrate (100) by an anode electrode (23), to an n+-source region (4) and a p+-contact region (5) of the main semiconductor element (10). When the main semiconductor element (10) is on, the temperature-sensing part (20) is forward-biased by the drift current flowing through the main semiconductor element (10) and is energized. The temperature-sensing part (20) is, for example, a polysilicon diode comprising a p-polysilicon layer (21) and an n-polysilicon layer (22) disposed on the surface of the silicon carbide substrate (100). A highly reliable semiconductor device can be provided as a result of this configuration.
(FR)Selon l'invention, un élément à semi-conducteur principal (10) et une partie de détection de température (20) sont disposés sur le même substrat en carbure de silicium (100). L'élément à semi-conducteur principal (10) est un MOSFET vertical, et la partie de détection de température (20) est une diode latérale. Une zone d'anode de la partie de détection de température (20) est connectée, par une électrode d'anode (23) sur la surface du substrat en carbure de silicium (100), à une zone de source n+ (4) et à une zone de contact p+ (5) de l'élément à semi-conducteur principal (10). Lorsque l'élément à semi-conducteur principal (10) est activé, la partie de détection de température (20) est polarisée dans le sens direct par le courant de migration circulant dans l'élément à semi-conducteur principal (10) et est traversée par le courant. La partie de détection de température (20) est, par exemple, une diode au polysilicium comprenant une couche de polysilicium p (21) et une couche de polysilicium n (22) disposées sur la surface du substrat en carbure de silicium (100). Cette configuration permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteur hautement fiable.
(JA)メイン半導体素子(10)および温度センス部(20)は同一の炭化珪素基体(100)に配置されている。メイン半導体素子(10)は縦型MOSFETであり、温度センス部(20)は横型ダイオードである。温度センス部(20)のアノード領域とメイン半導体素子(10)のn+型ソース領域(4)およびp+型コンタクト領域(5)とは、炭化珪素基体(100)のおもて面上でアノード電極(23)により配線接続されている。温度センス部(20)は、メイン半導体素子(10)のオン時に、メイン半導体素子(10)に流れるドリフト電流で順バイアスされ通電する。温度センス部(20)は、例えば、炭化珪素基体(100)のおもて面上に配置したp型ポリシリコン層(21)およびn型ポリシリコン層(22)からなるポリシリコンダイオードである。このようにすることで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)