WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017208430) MODULE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/208430    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/066538
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 03.06.2016
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : IIZUKA Arata; (JP).
OKAMOTO Korehide; (JP).
TSUJI Natsuki; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE
(FR) MODULE DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置モジュール
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor device module, and is provided with: a semiconductor device having an upper surface electrode and a lower surface electrode; a substrate, to which the lower surface electrode of the semiconductor device is bonded; a heat sink having the substrate mounted thereon; a lead electrode, in which a main current of the semiconductor device flows; an insulating case that is disposed to surround the substrate; and a holding body, which is provided in a cantilever manner in the insulating case, and which holds the lead electrode. One end of the lead electrode is brazed to the upper surface electrode of the semiconductor device, and the other end side is inserted into the wall surface of the insulating case, and the holding body is engaged on the one end of the lead electrode so as to regulate moving of the lead electrode.
(FR)La présente invention concerne un module de dispositif à semi-conducteur, qui comporte : un dispositif à semi-conducteur comprenant une électrode de surface supérieure et une électrode de surface inférieure ; un substrat auquel est collée l'électrode de surface inférieure du dispositif à semi-conducteur ; un dissipateur thermique sur lequel est monté le substrat ; une électrode de sortie dans laquelle circule un courant principal du dispositif à semi-conducteur ; un boîtier isolant qui est placé de façon à entourer le substrat ; et un corps de retenue, qui est disposé en porte-à-faux dans le boîtier isolant, et qui retient l'électrode de sortie. Une extrémité de l'électrode de sortie est brasée sur l'électrode de surface supérieure du dispositif à semi-conducteur, et l'autre extrémité est introduite dans la surface de paroi du boîtier isolant, et le corps de retenue est engagé sur la première extrémité de l'électrode de sortie afin de réguler le déplacement de l'électrode de sortie.
(JA) 本発明は半導体装置モジュールに関し、上面電極と下面電極とを有した半導体デバイスと、半導体デバイスの下面電極が接合される基板と、基板を搭載するヒートシンクと、半導体デバイスの主電流が流れるリード電極と、基板を囲むように配設された絶縁ケースと、絶縁ケース内に梁状に設けられ、リード電極を保持する保持体と、を備え、リード電極は、一方端が半導体デバイスの上面電極にろう付けされ、他方端側が絶縁ケースの壁面内にインサートされ、保持体は、リード電極の移動を規制するようにリード電極の一方端上に係合する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)