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1. (WO2017208311) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
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N° de publication : WO/2017/208311 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/065935
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 30.05.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : JCU CORPORATION[JP/JP]; TIXTOWER UENO 16F, 8-1, Higashiueno 4-chome, Taito-ku, Tokyo 1100015, JP
Inventeurs : ASANO, Keisuke; JP
YAMADA, Kenichi; JP
KAWASAKI, Tomohiro; JP
NUMAGAWA, Nobutaka; JP
Mandataire : KYORITSU INSTITUTE; Amix Otsuka Building 2F, 2-25-1, Kita Otsuka, Toshima-ku, Tokyo 1700004, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及び方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided are a plasma processing device and a plasma processing method for uniformly performing, with respect to a substrate, i.e., a subject to be processed, surface processing using plasma. A substrate (11) is held by a substrate holder (31), and is stored in a processing chamber (14). A positive electrode panel 32 is disposed to face the front surface of the substrate (11). A process gas is sent toward the positive electrode panel (32) and the substrate (11) from a blow-out panel (33). A high frequency voltage is applied by connecting the positive electrode of a high frequency power supply to the positive electrode panel (32), and connecting the negative electrode of the high frequency power supply to the blow-out panel (33). The process gas passes through the positive electrode panel (32) and the blow-out panel (33), i.e., the negative electrode, and plasma is generated. A contaminant on the front surface of the substrate (11) is removed by means of the plasma thus generated.
(FR) L'invention concerne un dispositif et un procédé de traitement par plasma permettant d'effectuer de manière uniforme, par rapport à un substrat, c'est-à-dire un sujet à traiter, un traitement de surface par plasma. Un substrat (11) est retenu par un support (31), et est stocké dans une chambre de traitement (14). Un panneau d'électrode positive (32) est disposé de manière à faire face à la surface avant du substrat (11). Un gaz de traitement est envoyé vers le panneau d'électrode positive (32) et le substrat (11) à partir d'un panneau de soufflage (33). Une tension haute fréquence est appliquée en connectant l'électrode positive d'une alimentation électrique haute fréquence au panneau d'électrode positive (32), et en connectant l'électrode négative de l'alimentation électrique haute fréquence au panneau de soufflage (33). Le gaz de traitement passe dans le panneau d'électrode positive (32) et le panneau de soufflage (33), c'est-à-dire l'électrode négative, et le plasma est généré. Un contaminant sur la surface avant du substrat (11) est éliminé au moyen du plasma ainsi généré.
(JA)  被処理物である基板に対するプラズマによる表面処理を均一に行うプラズマ処理装置及び方法を提供する。 基板(11)が基板ホルダ(31)に保持され、処理室(14)内に収容される。基板(11)の表面に対向して正の電極パネル32が配されている。正の電極パネル(32)及び基板(11)に向けて、吹き出しパネル(33)からプロセスガスが送られる。正の電極パネル(32)に高周波電源の+極が、吹き出しパネル(33)に-極が接続されて高周波電圧が印加される。プロセスガスが、負の電極である吹き出しパネル(33)と正の電極パネル(32)の間を通過し、プラズマが発生する。発生したプラズマによって基板(11)の表面の汚染物質が除去される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)