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1. (WO2017208113) MICROPILE À ÉLECTRODES D'INTERCONNEXION VERTICALE
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N° de publication : WO/2017/208113 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/053041
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 23.05.2017
CIB :
H01M 4/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
64
Supports ou collecteurs
70
caractérisés par la forme ou la configuration
76
Récipients pour porter le matériau actif, p.ex. tubes, capsules
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth, Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
WEBB, Bucknell; US
ANDRY, Paul; US
Mandataire :
LITHERLAND, David; GB
Données relatives à la priorité :
15/168,33031.05.2016US
Titre (EN) MICROBATTERY WITH THROUGH-SILICON VIA ELECTRODES
(FR) MICROPILE À ÉLECTRODES D'INTERCONNEXION VERTICALE
Abrégé :
(EN) Batteries and methods of forming the same include an anode structure, a cathode structure, and a conductive overcoat. The anode structure includes an anode substrate, an anode formed on the anode substrate, and an anode conductive liner that is in contact with the anode. The cathode structure includes a cathode substrate, a cathode formed on the cathode substrate, and a cathode conductive liner that is in contact with the cathode. The conductive overcoat is formed over the anode structure and the cathode structure to seal a cavity formed by the anode structure and the cathode structure. At least one of the anode substrate and the cathode substrate is pierced by through vias that are in contact with the respective anode conductive liner or cathode conductive liner.
(FR) L'invention porte sur des piles qui comprennent une structure d'anode, une structure de cathode et une couche de finition conductrice, et sur leurs procédés de fabrication. La structure d'anode comprend un substrat d'anode, une anode formée sur le substrat d'anode, et un revêtement conducteur d'anode qui est en contact avec l'anode. La structure de cathode comprend un substrat de cathode, une cathode formée sur le substrat de cathode, et un revêtement conducteur de cathode qui est en contact avec la cathode. La couche de finition conductrice est formée sur la structure d'anode et sur la structure de cathode pour fermer une cavité formée par la structure d'anode et la structure de cathode. Au moins l'un du substrat d'anode et du substrat de cathode est percé par des interconnexions verticales qui sont en contact avec le revêtement conducteur d'anode ou le revêtement conducteur de cathode respectif.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)