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1. (WO2017207876) APPAREIL DE PHOTODÉTECTEUR À POINTS QUANTIQUES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/207876    N° de la demande internationale :    PCT/FI2017/050409
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 01.06.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : EMBERION OY [FI/FI]; Metsänneidonkuja 8 02130 Espoo (FI)
Inventeurs : WHITE, Richard; (GB).
BESSONOV, Alexander; (GB).
ANDREW, Piers; (GB).
ALLEN, Mark; (GB).
SPIGONE, Elisabetta; (GB).
ASTLEY, Michael Robert; (GB)
Mandataire : BOCO IP OY AB; Itämerenkatu 5 00180 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
16172680.7 02.06.2016 EP
Titre (EN) A QUANTUM DOT PHOTODETECTOR APPARATUS AND ASSOCIATED METHODS
(FR) APPAREIL DE PHOTODÉTECTEUR À POINTS QUANTIQUES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus (400) comprising a layer of channel material (403), source and drain electrodes (401, 402) configured to enable a flow of electrical current through the layer of channel material (403), and a layer of quantum dot material (406) configured to generate electron-hole pairs on exposure to incident electromagnetic radiation to produce a detectable change in the electrical current which is indicative of one or more of the presence and magnitude of the electromagnetic radiation, wherein the layer of quantum dot material (406) is positioned between the layer of channel material (403) and a layer of conductive material (413), and wherein the layers of channel and conductive material have work functions such that respective built-in electric fields are created at the interfaces between the layer of quantum dot material and the layers of channel and conductive material, the built-in electric field at each interface acting in the same direction to promote separation of the electrons and holes of the generated electron-hole pairs to facilitate production of the detectable change in electrical current.
(FR)L'invention concerne un appareil (400) comprenant une couche de matériau de canal (403), des électrodes de source et de drain (401, 402) conçues pour permettre un flux de courant électrique à travers la couche de matériau de canal (403), et une couche de matériau à points quantiques (406) conçue pour générer des paires électron-trou lors de l'exposition à un rayonnement électromagnétique incident en vue de produire un changement détectable du courant électrique qui indique la présence et/ou l'amplitude du rayonnement électromagnétique, la couche de matériau à points quantiques (406) étant positionnée entre la couche de matériau de canal (403) et une couche de matériau conducteur (413), et les couches de matériau de canal et de matériau conducteur ayant des fonctions de travail de telle sorte que des champs électriques intégrés respectifs soient créés au niveau des interfaces entre la couche de matériau à points quantiques et les couches de matériau conducteur et de matériau de canal, le champ électrique intégré au niveau de chaque interface agissant dans la même direction pour favoriser la séparation des électrons et des trous des paires électron-trou générées pour faciliter la production du changement détectable du courant électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)