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1. (WO2017207640) SYSTÈME DE MESURE MAGNÉTIQUE BASÉ SUR UN BIOCAPTEUR PHR ULTRASENSIBLE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE FAIBLES CONCENTRATIONS DE BIOPARTICULES SPÉCIFIQUES ET QUANTIFICATION D'INTERACTIONS DE BIOPARTICULES

Pub. No.:    WO/2017/207640    International Application No.:    PCT/EP2017/063174
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: G01N 27/74
G01N 33/543
Applicants: UNIVERSITE DE MONTPELLIER
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE CHIMIE DE MONTPELLIER
Inventors: TERKI, Ferial
TRAN, Hung Quang
KAMARA, Souleymane
FELIX, Gautier
KIM, CheolGi
KIM, KunWoo
KIM, SungJoon
RAMULU, Torati Sri
Title: SYSTÈME DE MESURE MAGNÉTIQUE BASÉ SUR UN BIOCAPTEUR PHR ULTRASENSIBLE ET PROCÉDÉ DE MESURE DE FAIBLES CONCENTRATIONS DE BIOPARTICULES SPÉCIFIQUES ET QUANTIFICATION D'INTERACTIONS DE BIOPARTICULES
Abstract:
La présente invention concerne un système de mesure magnétique (2) pour mesurer une concentration de bioparticules spécifiques au moyen d'une détection sensible d'étiquettes de particules magnétiques qui comprend un capteur AMR/PHR hybride magnétique à base d'aptamère (12) comportant une surface active (22) sur laquelle au moins une particule magnétique (28) peut être ou est étroitement liée par l’intermédiaire d’une structure d'aptamère de type sandwich qui comprend une bioparticule unitaire capturée. Le système de mesure magnétique est caractérisé en ce qu'une amplitude réelle d'un champ magnétique constant CC appliqué sur la piste magnétique (24) du capteur (12) est située à proximité d'une amplitude optimale du champ magnétique CC permanent compris dans un ensemble de deux valeurs optimales H1, H2 du champ magnétique CC permanent, chaque valeur optimale H1, H2 maximisant localement la valeur absolue d'une première quantité (I), où H est l'amplitude du champ magnétique appliqué et (II) est la dérivée de la tension différentielle par rapport au champ magnétique au niveau du champ appliqué H.