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1. (WO2017207441) COMPOSANT DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT UV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT
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N° de publication : WO/2017/207441 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/062784
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0304
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
105
la barrière de potentiel étant du type PIN
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
TOLLABI MAZRAEHNO, Mohammad; DE
STAUSS, Peter; DE
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 110 041.231.05.2016DE
Titre (EN) COMPONENT FOR DETECTING UV RADIATION AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
(FR) COMPOSANT DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT UV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT
(DE) BAUELEMENT ZUM DETEKTIEREN VON UV-STRAHLUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a component (100) for detecting UV radiation having a semiconductor body (2) based on AlmGa1-n-mInnN, with 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1, and n+m < 1, wherein the semiconductor body has a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22), and an active layer (23) lying therebetween. The first semiconductor layer is n-doped, the second semiconductor layer is p-doped, and the active layer is designed to produce charge carrier pairs by absorbing radiation. In addition, the semiconductor body is designed in such a way that the active layer is relaxed with respect to the lattice constant of the active layer. The invention further relates to a method for producing such a component.
(FR) L’invention concerne un composant (100), destiné à détecter un rayonnement UV, comprenant un corps semi-conducteur (2) à base de AlmGa1-n-mInnN avec 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 et n + m < 1. Le corps semi-conducteur comprend une première couche semi-conductrice (21), une deuxième couche semi-conductrice (22) et une couche active intermédiaire (23). La première couche semi-conductrice est dopée n, la deuxième couche semi-conductrice est dopée p et la couche active est formée de façon à générer des paires de porteurs de charge par absorption de rayonnement. En outre, le corps semi-conducteur est formé de telle sorte que la couche active est détendue par rapport à la constante de réseau. En outre, l’invention concerne un procédé de production d’un tel composant.
(DE) Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m < 1 basierten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischen liegende aktive Schicht (23) aufweist. Dabei ist die erste Halbleiterschicht n-dotiert, die zweite Halbleiterschicht p-dotiert und die aktive Schicht zur Erzeugung von Ladungsträgerpaaren durch Strahlungsabsorption ausgebildet. Außerdem ist der Halbleiterkörper derart ausgebildet, dass die aktive Schicht bezüglich deren Gitterkonstante relaxiert ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)