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1. (WO2017207401) COLLECTOR EUV
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N° de publication :    WO/2017/207401    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/062639
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01), G02B 5/08 (2006.01)
Déposants : CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventeurs : SCHUSTER, Ingrid; (DE).
MERKEL, Wolfgang; (DE).
METALIDIS, Georgo; (DE).
KIEREY, Holger; (DE)
Mandataire : RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 209 359.2 31.05.2016 DE
Titre (DE) EUV-KOLLEKTOR
(EN) EUV COLLECTOR
(FR) COLLECTOR EUV
Abrégé : front page image
(DE)Ein EUV-Kollektor dient zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage. Mindestens eine Spiegelfläche des EUV-Kollektors hat Oberflächenstrukturen zum Streuen einer EUV-Nutzwellenlänge (λ) von EUV-Nutzlicht. Die Spiegelfläche hat eine Oberflächenhöhe mit einer Ortswellenlängenverteilung zwischen einer unteren Grenz-Ortswellenlänge (PG) und einer oberen Grenz-Ortswellenlänge (PG'). Die untere Grenz-Ortswellenlänge (PG) liegt im Bereich zwischen 1 μm und 100 μm. Die obere Grenz-Ortswellenlänge (PG') ist mindestens zehnmal so groß wie die untere Grenz-Ortswellenlänge (PG). Eine effektive Rauheit (rmsG) genügt unterhalb der unteren Grenz-Ortswellenlänge (PG) folgender Relation: (4 π rmsG cos(θ)/λ)2 < 0,1 θ bezeichnet einen Einfallswinkel des EUV-Nutzlichts auf der Spiegelfläche. Für eine effektive Rauheit (rmsGG') zwischen der unteren Grenz-Ortswellenlänge (PG) und der oberen Grenz-Ortswellenlänge (PG') gilt: 1,5rmsG < rmsGG' < 6rmsG Es resultiert ein EUV-Kollektor, bei dem sich Defekte und Verunreinigungen nicht unerwünscht auf eine Fernfeld-Intensitätsverteilung des EUV-Nutzlichts auswirken.
(EN)The invention relates to an EUV collector for use in an EUV projection exposure system. At least one mirror surface of the EUV collector has surface structures for scattering an EUV useful wavelength (λ) of EUV useful light. The mirror surface has a surface height having a local wavelength distribution between a lower limiting local wavelength (PG) and an upper limiting local wavelength (PG'). The lower limiting local wavelength (PG) lies in the range between 1 μm and 100 μm. The upper limiting local wavelength (PG') is at least ten times as large as the lower limiting local wavelength (PG). An effective roughness (rmsG) satisfies the following relation below the lower limiting local wavelength (PG): (4 π rmsG cos(θ)/λ)2 < 0.1. θ represents an angle of incidence of the EUV useful light on the mirror surface. For an effective roughness (rmsGG') between the lower limiting local wavelength (PG) and the upper limiting local wavelength (PG'), the following applies: 1.5rmsG < rmsGG' < 6rmsG. The result is an EUV collector in the case of which defects and contaminants do not have an undesired effect on a far-field intensity distribution of the EUV useful light.
(FR)La présente invention concerne un collecteur EUV utilisé dans une installation d'illumination par projection EUV. Au moins une surface réfléchissante du collecteur EUV comporte des structures superficielles destinées à diffuser une longueur d'onde utile EUV (λ) de la lumière utile EUV. La surface réfléchissante est dotée d'une hauteur surfacique présentant une répartition spatiale de la longueur d'onde entre une longueur d'onde spatiale de limite inférieure (PG) et une longueur d'onde spatiale de limite supérieure (PG'). La longueur d'onde spatiale de limite inférieure (PG) se situe entre 1 μm et 100 μm. La longueur d'onde spatiale de limite supérieure (PG') est au moins dix fois supérieure à la longueur d'onde spaciale de limite inférieure (PG). Pour une rugosité effective (rmsG), la relation suivante est satisfaisante au-dessous de la limite inférieure de la longueur d'onde spatiale (PG): (4 π rmsG cos (θ)/λ)2 < 0,1, θ indiquant un angle d'incidence de la lumière utile EUV sur la surface réfléchissante. Pour une rugosité effective (rmsGG') entre la longueur d'onde spatiale de limite inférieure (PG) et la longueur d'onde spatiale de limite supérieure (PG' s'applique : 1,5rmsG <rmsGG' <6rmsG. Il en résulte un collecteur EUV dans lequel les défauts et les impuretés indésirables n'ont pas d'incidence sur une distribution d'intensité en champ lointain de la lumière utile EUV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)