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1. (WO2017207399) DISPOSITIF DE DÉTECTION MICROÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION MICROÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2017/207399    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/062612
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
G01N 21/3504 (2014.01), G01N 21/17 (2006.01), G01N 21/37 (2006.01), G01N 21/31 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : KAISER, Christoph; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 209 798.9 03.06.2016 DE
Titre (DE) MIKROELEKTRONISCHE SENSORVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MIKROELEKTRONISCHEN SENSORVORRICHTUNG
(EN) MICROELECTRONIC SENSOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTRONIC SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION MICROÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION MICROÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung. Die Mikroelektronische Sensorvorrichtung umfasst eine Infrarot-Quelle (10) und eine drucksensitive Mikromembran (20), wobei auf einer Oberseite (O1) der drucksensitiven Mikromembran eine Gaskammer (30) mit einem spezifischen Gas (G1) angeordnet ist. Ferner ist zwischen der Infrarot-Quelle (10) und der Gaskammer (30) der mikroelektronischen Sensorvorrichtung ein Absorptionsbereich (A1) ausgebildet, innerhalb dessen das spezifische Gas (G1) erfassbar ist, wobei die drucksensitive Mikromembran (20) eingestellt ist, um einen Druckanstieg des durch die Infrarot-Quelle (10) erwärmten spezifischen Gases (G1) in der Gaskammer (30) zu messen und die drucksensitive Mikromembran (20) derart ausgebildet ist, dass bei Gegenwart des spezifischen Gases (G1) im Absorptionsbereich (A1) ein Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran (20) messbar ist.
(EN)The invention provides a microelectronic sensor device and a corresponding method for producing a microelectronic sensor device. The microelectronic sensor device comprises an infrared source (10) and a pressure-sensitive micromembrane (20), wherein a gas chamber (30) having a specific gas (G1) is arranged on a top side (O1) of the pressure-sensitive micromembrane. Furthermore, an absorption region (A1) is formed between the infrared source (10) and the gas chamber (30) of the microelectronic sensor device, the specific gas (G1) being detectable within said absorption region, wherein the pressure-sensitive micromembrane (20) is set to measure a rise in pressure of the specific gas (G1) heated by the infrared source (10) in the gas chamber (30), and the pressure-sensitive micromembrane (20) is designed in such a way that when the specific gas (G1) is present in the absorption region (A1), a fall in pressure is measurable at the pressure-sensitive micromembrane (20).
(FR)L'invention concerne un dispositif de détection microélectronique et un procédé correspondant de fabrication d'un dispositif de détection microélectronique. Le dispositif de détection microélectronique comporte une source infrarouge (10) et une micromenbrane (20) sensible à la pression, une chambre de gaz (30) comprenant un gaz (G1) spécifique étant disposée sur une face supérieure (O1) de la micromembrane sensible à la pression. Une zone d'absorption (A1) est en outre formée entre la source infrarouge (10) et la chambre de gaz (30) du dispositif de détection microélectronique, zone d'absorption à l'intérieur de laquelle le gaz (G1) spécifique peut être détecté, la micromembrane (20) sensible à la pression étant réglée pour mesurer une augmentation de pression du gaz (G1) spécifique réchauffé par la source infrarouge (10) dans la chambre de gaz (30) et la micromembrane (20) sensible à la pression étant conçue de telle sorte qu'en présence du gaz (G1) spécifique dans la zone d'absorption (A1), une diminution de pression peut être mesurée au niveau de la micromembrane (20) sensible à la pression.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)