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1. (WO2017206812) STRUCTURE DE SORTIE DE GRILLE EN TRANCHÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/206812 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/086136
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 26.05.2017
CIB :
H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新区新洲路8号 No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventeurs :
卞铮 BIAN, Zheng; CN
Mandataire :
广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省广州市 天河区花城大道85号3901房 Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201610378876.931.05.2016CN
Titre (EN) TRENCH GATE LEAD-OUT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE SORTIE DE GRILLE EN TRANCHÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 沟槽栅极引出结构及其制造方法
Abrégé :
(EN) A trench gate lead-out structure comprises a substrate (10), a trench formed in the surface of the substrate (10) and a first dielectric layer (22) on the substrate (10), and also comprises a polysilicon gate (31) at the inner surface of the trench. The trench is partially filled by the polysilicon gate (31), so that a recess exists in the trench above the polysilicon gate (31). A second dielectric layer (41) is filled in the recess. The trench gate lead-out structure also comprises a metal plug (50). The metal plug (50) downwards penetrates through the first dielectric layer (22) and then is inserted between the second dielectric layer (41) and the polysilicon gate (31), and accordingly is connected to the polysilicon gate (31).
(FR) L'invention concerne une structure de sortie de grille en tranchée qui comprend un substrat (10), une tranchée formée dans la surface du substrat (10) et une première couche diélectrique (22) sur le substrat (10), et comprend également une grille en polysilicium (31) au niveau de la surface interne de la tranchée. La tranchée est partiellement remplie par la grille en polysilicium (31), de manière qu'il existe un évidement dans la tranchée au-dessus de la grille en polysilicium (31). Une seconde couche diélectrique (41) est introduite dans l'évidement. La structure de sortie de grille en tranchée comprend également un bouchon métallique (50). Le bouchon métallique (50) pénètre vers le bas à travers la première couche diélectrique (22) puis est inséré entre la seconde couche diélectrique (41) et la grille en polysilicium (31), et est en conséquence connecté à la grille en polysilicium (31).
(ZH) 一种沟槽栅极引出结构包括衬底(10)、衬底(10)表面的沟槽、以及所述衬底(10)上的第一介质层(22),还包括沟槽内表面的多晶硅栅极(31),所述沟槽被所述多晶硅栅极(31)部分填充,故在所述多晶硅栅极(31)上方的沟槽内存在凹陷,所述凹陷内填充有第二介质层(41),所述沟槽栅极引出结构还包括金属塞(50),所述金属塞(50)向下穿过所述第一介质层(22)后插入所述第二介质层(41)与所述多晶硅栅极(31)之间,从而与所述多晶硅栅极(31)连接。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)