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1. (WO2017206772) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À FONCTION DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/206772 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/085659
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
厦门三安光电有限公司 XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国福建省厦门市 同安区洪塘镇民安大道841-899号 No.841-899, Min An Road Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs :
吴超瑜 WU, Chaoyu; CN
吴俊毅 WU, Chun-Yi; CN
王笃祥 WANG, Duxiang; CN
Données relatives à la priorité :
201610381162.301.06.2016CN
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH ELECTROSTATIC PROTECTION FUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À FONCTION DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 具有静电保护的发光二极管及其制作方法
Abrégé :
(EN) A light emitting diode with an electrostatic protection function and a manufacturing method therefor. An electrostatic protection region, an electrode region and a light emission region are arranged on a light emission surface of a chip. A first N-type ohmic contact electrode (141) is formed on the electrode region. An antistatic protection structure composed of an etching stop layer (116), tunnel junctions (114, 115), electrostatic protection layers (112, 113) and a second N-type ohmic contact electrode (142) is formed in the electrostatic protection region. When the light emitting diode is subjected to an electrostatic reverse biased voltage, the antistatic protection structure works. The current passes through the first N-type ohmic contact electrode (141) and the electrostatic protection structure to the second N-type ohmic contact electrode (142), so that the damage of the light emitting layer caused by an overhigh electrostatic reverse biased voltage can be avoided.
(FR) L'invention porte sur une diode électroluminescente à fonction de protection électrostatique et sur son procédé de fabrication. Une région de protection électrostatique, une région d'électrode et une région d'émission de lumière sont agencées sur une surface d'émission de lumière d'une puce. Une première électrode de contact ohmique du type N (141) est formée sur la région d'électrode. Une structure de protection antistatique composée d'une couche d'arrêt de gravure (116), de jonctions tunnel (114, 115), de couches de protection électrostatique (112, 113) et d'une seconde électrode de contact ohmique du type N (142) est formée dans la région de protection électrostatique. Lorsque la diode électroluminescente est soumise à une tension de polarisation inverse électrostatique, la structure de protection antistatique fonctionne. Le courant passe par la première électrode de contact ohmique du type N (141) et la structure de protection électrostatique vers la seconde électrode de contact ohmique du type N (142), de façon à pouvoir éviter l'endommagement de la couche électroluminescente provoqué par une tension de polarisation inverse électrostatique excessivement élevée.
(ZH) 一种具有静电保护的发光二极管及其制作方法,其在芯片出光面上设置静电保护区、电极区和出光区,在电极区上形成第一N型欧姆接触电极(141),在静电保护区形成蚀刻截止层(116)、隧穿结(114、115)、静电保护层(112、113)、第二N型欧姆接触电极(142)构成的抗静电保护结构,当发光二极管受到静电逆向偏压时,抗静电保护结构工作,电流经由第一N型欧姆接触电极(141)、静电保护结构至第二N型欧姆接触电极(142),避免静电逆向偏压过高造成发光层被破坏。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)