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1. (WO2017206414) CAPTEUR BIOCHIMIQUE SELON LA TECHNOLOGIE CMOS STANDARD
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N° de publication :    WO/2017/206414    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/102070
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 14.10.2016
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : ZHANGJIAGANG ONECHIP BIOTECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 3th floor of Fenghuang Science Park section D,No.7 Fenghuang Avenue, Zhangjiagang Suzhou, Jiangsu 215614 (CN)
Inventeurs : XUE, Lirong; (CN).
SUN, Wei; (CN).
ZHU, Chunrong; (CN)
Mandataire : NANJING ZONGHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO.,LTD.; 3th floor of Innovation Square, No.9 Gaoxin Road High-tech Zone Pukou Nanjing, Jiangsu 210032 (CN)
Données relatives à la priorité :
2016103789812 01.06.2016 CN
Titre (EN) BIOCHEMICAL SENSOR UNDER STANDARD CMOS TECHNOLOGY
(FR) CAPTEUR BIOCHIMIQUE SELON LA TECHNOLOGIE CMOS STANDARD
(ZH) 一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器
Abrégé : front page image
(EN)A biochemical sensor under a standard CMOS technology, comprising a pedestal, an ion-sensitive field effect transistor, a metal layer, a contact layer, and an electrode. The ion-sensitive field effect transistor is disposed on the pedestal and comprises a polysilicon channel formed on a CMOS polysilicon layer. Two ends of the polysilicon channel are respectively connected to a source and a drain, and then the source and the drain are connected to the metal layer by means of the contact layer. A polysilicon channel region of the polysilicon channel is exposed to be in contact with an electrolyte solution. The electrode is in contact with the electrolyte solution to provide a gate voltage to the polysilicon channel. The sensor has high sensitivity, improves sensor reproducibility and reduces device error and product cost by means of a CMOS technology. The sensor is widely applied to the Internet of things of environment, the Internet of things of agriculture, biological detection, etc.
(FR)La présente invention concerne un capteur biochimique selon une technologie CMOS standard, comportant un socle, un transistor à effet de champ sensible aux ions, une couche métallique, une couche de contact et une électrode. Le transistor à effet de champ sensible aux ions est disposé sur le socle et comporte un canal en polysilicium formé sur une couche de polysilicium de technologie CMOS. Deux extrémités du canal en polysilicium sont respectivement connectées à une source et à un drain, et ensuite la source et le drain sont connectés à la couche métallique au moyen de la couche de contact. Une région de canal en polysilicium du canal en polysilicium est exposée pour être en contact avec une solution électrolytique. L'électrode est en contact avec la solution électrolytique pour fournir une tension de grille au canal en polysilicium. Le capteur présente une sensibilité élevée, améliore la reproductibilité du capteur et réduit des erreurs du dispositif et le coût du produit grâce à une technologie CMOS. Le capteur est largement utilisé dans l'Internet des objets de protection environnementale, l'Internet des objets en agriculture, à la détection biologique, et analogues.
(ZH)一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器,包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极;离子敏感场效应晶体管设置在底座上;晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道,多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极,源极和漏极再通过接触层与金属层连接;多晶硅沟道的多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液;电极接触电解质溶液,为多晶硅沟道提供栅极电压。传感器具有高灵敏度,采用CMOS工艺提高传感器的重复性,降低器件误差,降低生产成本,该传感器适合环境物联网、农业物联网、及生物检测等广泛应用。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)