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1. (WO2017206215) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE

Pub. No.:    WO/2017/206215    International Application No.:    PCT/CN2016/086723
Publication Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 23 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/336
H01L 21/28
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: WU, Yuanchun
吴元均
LIEN, Shuichih
连水池
ZHOU, Xingyu
周星宇
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces au silicium polycristallin basse température. Dans le procédé, une couche de nitrure de silicium en contact avec une électrode de grille est oxydée en une couche d'oxynitrure de silicium afin d'utiliser l'oxynitrure de silicium pour être en contact avec l'électrode de grille. Par comparaison à la couche de nitrure de silicium, la couche d'oxynitrure de silicium non seulement peut résister à la diffusion d'ions, mais en outre présente une stabilité électrique élevée et peut efficacement supprimer l'injection de porteuses au niveau d'une couche d'isolation de grille, de manière à pouvoir améliorer la fiabilité de la couche d'isolation de grille et la stabilité du transistor à couches minces au silicium polycristallin basse température. Le procédé de fabrication est simple et ne nécessite par d'augmenter le nombre de photomasques dans le processus de fabrication.