WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017206215) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/206215    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/086723
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 22.06.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventeurs : WU, Yuanchun; (CN).
LIEN, Shuichih; (CN).
ZHOU, Xingyu; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610388354.7 02.06.2016 CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR LOW-TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN BASSE TEMPÉRATURE
(ZH) 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a manufacturing method for a low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor. In the method, a silicon nitride layer in contact with a gate electrode is oxidized into a silicon oxynitride layer to use the silicon oxynitride to be in contact with the gate electrode. Compared with the silicon nitride layer, the silicon oxynitride layer not only can resist ion diffusion, but also has high electrical stability and can effectively suppress carrier injection at a gate insulating layer, so that the reliability of the gate insulating layer and the stability of the low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor can be enhanced. The manufacturing method is simple, and the number of photomasks in the manufacturing process does not need to be increased.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces au silicium polycristallin basse température. Dans le procédé, une couche de nitrure de silicium en contact avec une électrode de grille est oxydée en une couche d'oxynitrure de silicium afin d'utiliser l'oxynitrure de silicium pour être en contact avec l'électrode de grille. Par comparaison à la couche de nitrure de silicium, la couche d'oxynitrure de silicium non seulement peut résister à la diffusion d'ions, mais en outre présente une stabilité électrique élevée et peut efficacement supprimer l'injection de porteuses au niveau d'une couche d'isolation de grille, de manière à pouvoir améliorer la fiabilité de la couche d'isolation de grille et la stabilité du transistor à couches minces au silicium polycristallin basse température. Le procédé de fabrication est simple et ne nécessite par d'augmenter le nombre de photomasques dans le processus de fabrication.
(ZH)本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法,通过将与栅极接触的氮化硅层氧化成氮氧化硅层,采用氮氧化硅与栅极接触,该氮氧化硅层相比于氮化硅层,不仅可以抵挡离子扩散,还具有高电性稳定度,能够有效抑制栅极绝缘层的载流子注入,提升栅极绝缘层的可靠性和低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性,制作方法简单,不需要增加制程光罩数。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)