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1. (WO2017206000) PROCÉDÉ D'ACCÈS EN MÉMOIRE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE MÉMOIRE
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N° de publication :    WO/2017/206000    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/083783
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 28.05.2016
CIB :
G06F 13/16 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventeurs : XIAO, Shihai; (CN).
ZOU, Qiaosha; (CN).
YANG, Wei; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road,Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY ACCESS METHOD AND MEMORY CONTROLLER
(FR) PROCÉDÉ D'ACCÈS EN MÉMOIRE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE MÉMOIRE
(ZH) 内存访问方法及内存控制器
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed in an embodiment of the present invention is a memory access method comprising: a memory controller determining a first access set in an access queue, the first access set containing a plurality of consecutive access requests; the memory controller modifies a first bank group address of a portion of a plurality of access requests in the first access set into a second bank group address; the memory controller generating a first access instruction and a second access instruction according to a first access request and a second access request in the modified first access set, respectively; and the memory controller transmitting the first access instruction and the second access instruction to the memory according to a preset first time interval, respectively. The memory accessing method as set above can reduce memory access delay, and improve reading and writing speed for the memory.
(FR)Conformément à un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé d'accès en mémoire comprenant les opérations suivantes : un dispositif de commande de mémoire détermine un premier ensemble d'accès dans une file d'attente d'accès, le premier ensemble d'accès contenant une pluralité de requêtes d'accès consécutives ; le dispositif de commande de mémoire modifie une première adresse de groupe de banque d'une partie d'une pluralité de requêtes d'accès dans le premier ensemble d'accès en une seconde adresse de groupe de banque ; le dispositif de commande de mémoire génère une première instruction d'accès et une seconde instruction d'accès selon une première requête d'accès et une seconde requête d'accès dans le premier ensemble d'accès modifié, respectivement ; et le dispositif de commande de mémoire transmet la première instruction d'accès et la seconde instruction d'accès à la mémoire selon un premier intervalle de temps prédéterminé, respectivement. Le procédé d'accès en mémoire tel que défini ci-dessus peut réduire le retard d'accès en mémoire, et améliorer la vitesse de lecture et d'écriture pour la mémoire.
(ZH)本发明实施例公开了一种内存访问方法,包括:内存控制器确定访问队列中第一访问集合,所述第一访问集合中包含有连续的多个访问请求;所述内存控制器将所述第一访问集合中的多个访问请求中的部分访问请求的第一bank group地址修改为第二bank group地址;所述内存控制器分别根据修改后的第一访问集合中的第一访问请求和第二访问请求生成第一访问指令和第二访问指令;所述内存控制器按照预设的第一时间间隔分别向所述内存发送所述第一访问指令和所述第二访问指令。上述设定内存访问方法可减少内存访问延时,提高内存的读写速度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)