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1. (WO2017205100) DOPAGE EXPONENTIEL DANS DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES AU NITRURE DILUÉ ADAPTÉES AU RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/205100 N° de la demande internationale : PCT/US2017/032712
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 15.05.2017
CIB :
H01L 31/078 (2012.01) ,H01L 31/0304 (2006.01)
Déposants : SOLAR JUNCTION CORPORATION[US/US]; 401 Charcot Avenue San Jose, CA 95131, US
Inventeurs : LIU, Ting; US
MISRA, Pranob; US
YUEN, Homan, Bernard; US
JONES-ALBERTUS, Rebecca, Elizabeth; US
Mandataire : LAMBERT, Willliam, R.; US
Données relatives à la priorité :
62/340,29423.05.2016US
Titre (EN) EXPONENTIAL DOPING IN LATTICE-MATCHED DILUTE NITRIDE PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) DOPAGE EXPONENTIEL DANS DES CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES AU NITRURE DILUÉ ADAPTÉES AU RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN) Dilute nitride subcells with graded doping are disclosed. Dilute nitride subcells having graded doping display improved efficiency, short circuit current density, and open circuit voltage.
(FR) L'invention concerne des cellules secondaires au nitrure dilué ayant un dopage progressif. Les cellules secondaires au nitrure dilué ayant un dopage progressif présentent un rendement amélioré, une densité de courant de court-circuit et une tension de circuit ouvert améliorées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)