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1. (WO2017204978) ÉQUIPEMENT DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS REVÊTU DE CARBONE SOUS FORME DE DIAMANT AMORPHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/204978 N° de la demande internationale : PCT/US2017/029649
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : CULIC-VISKOTA, Jelena; US
ABAZARNIA, Nader N.; US
Mandataire : DANSKIN, Timothy A.; US
AUYEUNG, Al; US
BLAIR, Steven R.; US
COFIELD, Michael A.; US
COWGER, Graciela G.; US
FORD, Stephen S.; US
GARTHWAITE, Martin S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MEININGER, Mark M.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
Données relatives à la priorité :
15/165,89626.05.2016US
Titre (EN) DIAMOND-LIKE CARBON COATED SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
(FR) ÉQUIPEMENT DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS REVÊTU DE CARBONE SOUS FORME DE DIAMANT AMORPHE
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments of the present disclosure describe semiconductor equipment devices having a metal workpiece and a diamond-like carbon (DLC) coating disposed on a surface of the metal workpiece, thermal semiconductor test pedestals having a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate, techniques for fabricating thermal semiconductor test pedestals with DLC coatings, and associated configurations. A thermal semiconductor test pedestal may include a metal plate and a DLC coating disposed on a surface of the metal plate. The metal plate may include a metal block formed of a first metal and a metal coating layer formed of a second metal between the metal block and the DLC coating. An adhesion strength promoter layer may be disposed between the metal coating layer and the DLC coating. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention porte sur des dispositifs d'équipement de fabrication de semi-conducteurs comprenant une pièce métallique et un revêtement de carbone sous forme de diamant amorphe (DLC) disposé sur une surface de la pièce métallique, sur des socles de test thermique de semi-conducteurs comportant une plaque métallique et un revêtement DLC disposé sur une surface de la plaque métallique, sur des techniques pour fabriquer des socles de test thermique de semi-conducteurs avec des revêtements DLC, et sur des configurations associées. Un socle de test thermique de semi-conducteurs peut comprendre une plaque métallique et un revêtement DLC disposé sur une surface de la plaque métallique. La plaque métallique peut comprendre un bloc métallique formé d'un premier métal et une couche de revêtement métallique formée d'un second métal entre le bloc métallique et le revêtement DLC. Une couche de promoteur de force d'adhérence peut être disposée entre la couche de revêtement métallique et le revêtement DLC. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)