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1. (WO2017204821) CRÉATION DE MOTIF DE FICHE ET DE LANGUETTE SOUSTRACTIVE AVEC PHOTO-RÉSERVOIRS POUR INTERCONNEXIONS À BASE D'ENTRETOISE D'EXTRÉMITÉ ARRIÈRE DE LIGNE (BEOL)
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N° de publication : WO/2017/204821 N° de la demande internationale : PCT/US2016/034624
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 27.05.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : LIN, Kevin; US
BRISTOL, Robert L.; US
SCHENKER, Richard E.; US
Mandataire : BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBTRACTIVE PLUG AND TAB PATTERNING WITH PHOTOBUCKETS FOR BACK END OF LINE (BEOL) SPACER-BASED INTERCONNECTS
(FR) CRÉATION DE MOTIF DE FICHE ET DE LANGUETTE SOUSTRACTIVE AVEC PHOTO-RÉSERVOIRS POUR INTERCONNEXIONS À BASE D'ENTRETOISE D'EXTRÉMITÉ ARRIÈRE DE LIGNE (BEOL)
Abrégé : front page image
(EN) Subtractive plug and tab patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) spacer-based interconnects is described. In an example, a back end of line (BEOL) metallization layer for a semiconductor structure includes an inter-layer dielectric (ILD) layer disposed above a substrate. A plurality of conductive lines is disposed in the ILD layer along a first direction. A conductive tab is disposed in the ILD layer, the conductive tab coupling two of the plurality of conductive lines along a second direction orthogonal to the first direction. A conductive via is coupled to one of the plurality of conductive lines, the conductive via having a via hardmask thereon. An uppermost surface of each of the ILD layer, the plurality of conductive lines, the conductive tab, and the via hardmask is planar with one another.
(FR) L'invention concerne une création de motif de fiche et de languette soustractive avec photo-réservoirs pour interconnexions à base d'entretoise d'extrémité arrière de ligne (BEOL). Dans un exemple, une couche de métallisation d'extrémité arrière de ligne (BEOL) pour une structure semi-conductrice comprend une couche diélectrique intermédiaire (ILD) disposée au-dessus d'un substrat. Une pluralité de lignes conductrices sont disposées dans la couche ILD dans une première direction. Une languette conductrice est disposée dans la couche ILD, la languette conductrice couplant deux ligne de la pluralité de lignes conductrices dans une seconde direction orthogonale à la première direction. Un trou d'interconnexion conducteur est couplé à une ligne de la pluralité de lignes conductrices, le trou d'interconnexion conducteur ayant un masque dur de trou d'interconnexion sur celui-ci. Les surfaces supérieures de chaque élément parmi la couche ILD, la pluralité de lignes conductrices, la languette conductrice et le masque dur de trou d'interconnexion sont planaires les unes par rapport aux autres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)