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PATENTSCOPE

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1. (WO2017204522) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À GRANDE LONGUEUR D'ONDE ET À HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/204522 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/005333
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 23.05.2017
CIB :
H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/26 (2010.01) ,H01L 33/18 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD.[KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429, KR
Inventeurs : YOO, Hong Jae; KR
CHOI, Hyo Shik; KR
LEE, Hyung Ju; KR
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-006482426.05.2016KR
10-2017-002993309.03.2017KR
10-2017-006313022.05.2017KR
Titre (EN) HIGH-EFFICIENCY LONG-WAVELENGTH LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À GRANDE LONGUEUR D'ONDE ET À HAUT RENDEMENT
(KO) 고효율 장파장 발광 소자
Abrégé : front page image
(EN) A long-wavelength light-emitting device is disclosed. The long-wavelength light-emitting device comprises: a first conductive semi-conductor layer; an active layer that is located on the first conductive semi-conductor layer and that has a quantum well structure; and a second conductive semi-conductor layer that is located on the active layer. The active layer comprises: one or more well layers including a nitride-based semi-conductor having 21% or more In; two or more barrier layers located in upper and lower parts of the well layers; and one or more upper capping layers located on the well layers, and located between the well layers and the barrier layers, wherein the upper capping layers have a bigger band-gap energy relative to the barrier layers, and the upper capping layers and the well layers are in contact.
(FR) L'invention concerne un dispositif électroluminescent à grande longueur d'onde. Le dispositif électroluminescent à grande longueur d'onde comprend : une première couche semi-conductrice conductrice ; une couche active qui est située sur la première couche semi-conductrice conductrice et qui comporte une structure de puits quantique ; et une seconde couche semi-conductrice conductrice qui est située sur la couche active. La couche active comprend : une ou plusieurs couches de puits comprenant un semi-conducteur à base de nitrure contenant 21 % ou plus d'In ; au moins deux couches barrières situées dans des parties supérieure et inférieure des couches de puits ; et une ou plusieurs couches de recouvrement supérieures situées sur les couches de puits, et situées entre les couches de puits et les couches barrières, les couches de recouvrement supérieures ayant une plus grande énergie de bande interdite que les couches barrières, et les couches de recouvrement supérieures et les couches de puits étant en contact.
(KO) 장파장 발광 소자가 개시된다. 장파장 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 양자우물구조를 갖는 활성층; 및 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 활성층은, 21% 이상의 In을 포함하는 질화물계 반도체를 포함하는 적어도 하나의 우물층; 우물층의 상부 및 하부에 위치하는 적어도 두 개의 장벽층; 및 우물층 상에 위치하며, 우물층과 장벽층의 사이에 위치하는 적어도 하나의 상부 캡핑층을 포함하며, 상부 캡핑층은 장벽층보다 큰 밴드갭 에너지를 가지며, 상부 캡핑층과 우물층은 접한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)