WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017204380) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCHROMATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/204380    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/005545
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
G01J 3/02 (2006.01), G01J 3/06 (2006.01), G01Q 30/02 (2010.01)
Déposants : KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE [KR/KR]; 267, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 34113 (KR)
Inventeurs : OGAWA, Takashi; (KR).
KIM, Ju Hwang; (KR)
Mandataire : MOON, Hwan-Goo; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0064041 25.05.2016 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MONOCHROMATOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCHROMATEUR
(KO) 모노크로미터의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for minutely and precisely processing an energy-selecting slit for selecting an electron beam which dispersedly proceeds depending on energy distribution while passing through an electrode part of a monochromator disposed in an electron beam apparatus. A rectangular slit of the present invention is processed by a focused-ion beam apparatus (FIB) in order to minutely and precisely process a width of the slit for energy selection, and the processed slit is measured by a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. Also, an apparatus having both an FIB and an electron microscope installed therein may be used to simultaneously perform processing and (in-situ) measurement to shorten a time for moving between the apparatuses, reduce manufacturing costs, and increase precision in processing a slit. Further, the dimensional precision of a slit can be improved through the accurate size of the slit, an inspection on whether a slit has a contaminated particle attached thereto, an inspection on whether an electron beam passes through a part other than the slit, and an inspection of static electricity of the slit. Therefore, the present invention can implement an aperture part including a slit having an improved space resolution and energy resolution and thus enables manufacture of a high performance monochromator.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement minutieux et précis d'une fente de sélection d'énergie servant à sélectionner un faisceau d'électrons qui poursuit son chemin de manière dispersée en fonction de la distribution d'énergie tout en traversant une partie d'électrode d'un monochromateur disposé dans un appareil à faisceau d'électrons. Une fente rectangulaire de la présente invention est traitée par un appareil à faisceau d'ions focalisé (FIB) afin de traiter avec minutie et précision une largeur de la fente servant à une sélection d'énergie, et la fente traitée est mesurée par un microscope électronique à balayage ou un microscope électronique à transmission. En outre, un appareil ayant à la fois un FIB et un microscope électronique installé dans ce dernier peut être utilisé afin d'effectuer simultanément un traitement et une mesure (in situ) pour réduire un temps de déplacement entre les appareils, réduire les coûts de fabrication, et augmenter la précision du traitement d'une fente. En outre, la précision dimensionnelle d'une fente peut être améliorée par la taille précise de la fente, une inspection pour savoir si une fente a une particule contaminée fixée à cette dernière, une inspection pour savoir si un faisceau d'électrons traverse une partie autre que la fente, et une inspection d'électricité statique de la fente. Par conséquent, la présente invention peut mettre en œuvre une partie d'ouverture comprenant une fente ayant une résolution spatiale et une résolution en énergie améliorées et permet ainsi la fabrication d'un monochromateur à haute performance.
(KO)본 발명은 전자선장치에 구비되는 모노크로미터의 전극부를 통과하면서 에너지분포에 따라 분산되어 진행하는 전자선을 선택하는 에너지선택 슬릿을 미세하게 정밀가공하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 직사각형 슬릿은 에너지 선택을 위한 슬릿의 폭을 미세하면서도 정밀하게 가공하기 위하여 집속이온빔 장치(FIB)로 가공하고, 가공된 슬릿을 주사형 전자현미경 또는 투과형 전자현미경으로 측정한다. 또한 FIB와 전자현미경을 함께 설치한 장치를 이용하여 가공과 동시에 (in-situ) 측정을 수행하여 장치 간 이동 시간을 단축하고 제조 비용을 줄일 뿐 아니라 슬릿의 가공 정밀도를 높일 수 있으며, 슬릿의 정확한 치수, 슬릿에 부착되는 오염 입자(particle) 유무, 전자선의 슬릿 이외 부분 통과여부 및 슬릿의 정전기 검사를 통해 슬릿의 치수 정밀도를 개선하여 공간 분해능과 에너지 분해능이 향상된 슬릿을 갖춘 조리개부를 구현하여 궁극적으로 고성능 모노크로미터를 제조할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)