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1. (WO2017204184) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BATTERIE SECONDAIRE
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N° de publication :    WO/2017/204184    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/019111
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 23.05.2017
CIB :
H01M 4/04 (2006.01), H01M 2/26 (2006.01), H01M 4/66 (2006.01), H01M 4/70 (2006.01), H01M 10/04 (2006.01), H01M 4/02 (2006.01), H01M 4/13 (2010.01), H01M 4/139 (2010.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Sanyo-cho, Daito-shi, Osaka 5748534 (JP).
PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : FUKUNAGA Masao; (--).
KURAMOTO Mamoru; (--)
Mandataire : TOKUDA Yoshiaki; (JP).
NISHIDA Hiroki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-106003 27.05.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SECONDARY BATTERY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BATTERIE SECONDAIRE
(JA) 二次電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for producing a secondary battery equipped with a layered electrode body comprising a plurality of positive electrode plates (1) and a plurality of negative electrode plates, each of the positive electrode plates (1) having a positive electrode active material layer (1b) formed on a positive electrode core (1a), while a positive electrode core exposure part, where the positive electrode active material layer (1b) is not formed on the positive electrode core (1a), is provided as a positive electrode tab part (1e), at an end of the positive electrode plate (1). The method comprising: a cutout formation step for providing a cutout in a region at a base part of the positive electrode plate (1) where the positive electrode active material layer (1b) is formed; and a compression step for compressing the positive electrode active material layer (1b) subsequent to the cutout formation step.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une batterie secondaire équipée d'un corps d'électrode en couches comprenant une pluralité de plaques (1) d'électrode positive et une pluralité de plaques d'électrode négative, chaque plaque (1) d'électrode positive comportant une couche de matériau actif d'électrode positive (1b) formée sur un noyau (1a) d'électrode positive, tandis qu'une partie d'exposition du noyau d'électrode positive, où la couche de matériau actif (1b) d'électrode positive n'est pas formée sur le noyau (1a) d'électrode positive, est ménagée en tant que partie languette (1e) d'électrode positive, à une extrémité de la plaque d'électrode positive (1). Le procédé comprend: une étape de formation de découpe dans une zone située au niveau d'une partie de base de la plaque d'électrode positive (1) où la couche de matériau actif d'électrode positive (1b) est formée; et une étape de compression pour comprimer la couche de matériau actif (1b) d'électrode positive après l'étape de formation de découpe.
(JA)複数枚の正極板(1)と複数枚の負極板を含む積層型電極体を備え、正極板(1)は正極芯体(1a)上に正極活物質層(1b)が形成されたものであり、正極板(1)は端部に正極芯体(1a)上に正極活物質層(1b)が形成されていない正極芯体露出部が正極タブ部(1e)として設けられた二次電池の製造方法であって、正極板(1)の根元であって正極活物質層(1b)が形成された領域に切り欠きを設ける切り欠き形成工程と、切り欠き形成工程の後に正極活物質層(1b)を圧縮する圧縮工程を有する二次電池の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)