Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017203968) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D’UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2017/203968    International Application No.:    PCT/JP2017/017517
Publication Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed May 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/06
C30B 15/20
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: SUGIMURA Wataru
杉村 渉
YOKOYAMA Ryusuke
横山 竜介
HAYASHI Mitsuaki
林 三照
Title: PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D’UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM
Abstract:
Le problème décrit par la présente invention est de supprimer la fluctuation faible de la concentration en oxygène à l’intérieur d’une surface de plaquette dans la fabrication d’un cristal unique de silicium où un procédé MCZ est utilisé. La solution selon l’invention porte sur un procédé de fabrication d’un cristal unique de silicium utilisant un procédé de Czochralski selon lequel, tout en appliquant un champ magnétique à une masse fondue de silicium (2) dans un creuset en quartz (11), un cristal unique de silicium (3) est extrait de la masse fondue de silicium (2). Durant une étape d’extraction du cristal unique de silicium (3), la température de surface de la masse fondue de silicium (2) est continuellement mesurée, et sur la base des résultats d’analyse de fréquence de la température de la surface, les conditions de croissance du cristal sont modifiées.