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1. (WO2017203773) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication :    WO/2017/203773    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/007327
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 27.02.2017
CIB :
H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : TOKUDA Katsuhiko; (--)
Mandataire : SANO PATENT OFFICE; 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-104158 25.05.2016 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光装置及び発光装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device 1 is equipped with: a substrate 10; a semiconductor light emitting element 2 that is provided on the substrate 10; a mirror 12, which is formed on the substrate 10, and which reflects light emitted from the semiconductor light emitting element 2; a first resin 5 that is provided on an optical path by being separated from the semiconductor light emitting element 2, said first resin containing a light diffusion material; and a second resin 6, i.e., a low light diffusion section, which covers at least a region of the light emitting surface of the semiconductor light emitting element 2, said region having the highest optical density in the light emitting surface, and which is provided on the optical path between the semiconductor light emitting element 2 and the first resin 5. The concentration of the light diffusion material in the second resin 6 is lower than the concentration of the light diffusion material 7 in the first resin 5.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent 1 qui est équipé de : un substrat 10 ; un élément électroluminescent à semi-conducteur 2 qui est disposé sur le substrat 10 ; un miroir 12, qui est formé sur le substrat 10, et qui réfléchit la lumière émise par l'élément électroluminescent à semi-conducteur 2 ; une première résine 5 qui est disposée sur un trajet optique en étant séparée de l'élément électroluminescent à semi-conducteur 2, ladite première résine contenant un matériau de diffusion de lumière ; et une deuxième résine 6, c'est-à-dire une section de diffusion de lumière faible, qui recouvre au moins une région de la surface électroluminescente de l'élément électroluminescent à semi-conducteur 2, ladite région ayant la densité optique la plus élevée dans la surface électroluminescente, et qui est disposée sur le trajet optique entre l'élément électroluminescent à semi-conducteur 2 et la première résine 5. La concentration du matériau de diffusion de lumière dans la deuxième résine 6 est inférieure à la concentration du matériau de diffusion de lumière 7 dans la première résine 5.
(JA)発光装置1は、基板10と、基板10に設けられた半導体発光素子2と、基板10に形成されて半導体発光素子2が放射した光を反射するミラー12と、半導体発光素子2と離隔して光路上に設けられた光拡散材を含む第一樹脂5と、半導体発光素子2の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うとともに半導体発光素子2と第一樹脂5との間の光路上に設けられた低光拡散部である第二樹脂6と、を備える。第二樹脂6の光拡散材の濃度は第一樹脂5の光拡散材7の濃度よりも低い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)