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1. (WO2017203751) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PANNEAU SOLAIRE
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N° de publication : WO/2017/203751 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004503
Date de publication : 30.11.2017 Date de dépôt international : 08.02.2017
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION[JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Inventeurs : KAWASAKI Hayato; --
YOSHIKAWA Kunta; --
NAKANO Kunihiro; --
KONISHI Katsunori; --
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité :
2016-10252123.05.2016JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL PANEL
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PANNEAU SOLAIRE
(JA) 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池パネル
Abrégé : front page image
(EN) A solar cell according to the present invention is provided with: an electroconductive crystal silicon substrate 11; and a first electroconductive silicon layer 12 and a second electroconductive silicon layer 13 disposed on one main surface of the electroconductive crystal silicon substrate 11, the first electroconductive silicon layer 12 and the second electroconductive silicon layer 13 being electrically insulated, the second electroconductive silicon layer 13 including a first portion 13a and a second portion 13b, the first portion 13a facing the electroconductive crystal silicon substrate 11 with a first intrinsic silicon layer 14 and the first electroconductive silicon layer 12 interposed therebetween, the second portion 13b facing the electroconductive crystal silicon substrate 11 with a second intrinsic silicon layer 15 interposed therebetween, the thickness of the first intrinsic silicon layer 14 being greater than the thickness of the second intrinsic silicon layer 15.
(FR) La présente invention porte sur une cellule solaire comprenant : un substrat en silicium cristallin électroconducteur (11) ; et une première couche de silicium électroconductrice (12) et une seconde couche de silicium électroconductrice (13) placées sur une surface principale du substrat en silicium cristallin électroconducteur (11), la première couche de silicium électroconductrice (12) et la seconde couche de silicium électroconductrice (13) étant électriquement isolées, la seconde couche de silicium électroconductrice 13) comportant une première partie (13a) et une seconde partie (13b), la première partie (13a) étant en regard du substrat en silicium cristallin électroconducteur (11) avec une première couche de silicium intrinsèque (14) et la première couche de silicium électroconductrice (12) intercalées entre eux, la seconde partie (13b) étant en regard du substrat en silicium cristallin électroconducteur (11) avec une seconde couche de silicium intrinsèque (15) intercalée entre eux, l'épaisseur de la première couche de silicium intrinsèque (14) étant supérieure à l'épaisseur de la seconde couche de silicium intrinsèque (15).
(JA) 本発明に係る太陽電池は、導電型結晶シリコン基板11と、導電型結晶シリコン基板11の一方の主面上に配置された第1導電型シリコン系層12及び第2導電型シリコン系層13とを備え、第1導電型シリコン系層12と第2導電型シリコン系層13とは、電気的に絶縁され、第2導電型シリコン系層13は、第1部分13aと第2部分13bとを含み、第1部分13aは、第1の真性シリコン系層14及び第1導電型シリコン系層12を介して導電型結晶シリコン基板11に対向し、第2部分13bは、第2の真性シリコン系層15を介して導電型結晶シリコン基板11に対向し、第1の真性シリコン系層14の厚さは、第2の真性シリコン系層15の厚さより厚い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)