Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017203746) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/203746    International Application No.:    PCT/JP2017/002532
Publication Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jan 26 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 23/04
B81B 7/02
B81C 3/00
H01L 23/08
H01L 23/48
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: HIRATA, Yoshiaki
平田 善明
KONNO, Nobuaki
紺野 伸顕
Title: APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention porte sur un appareil à semi-conducteur (1) qui comporte : un premier substrat (5) qui a une première surface (6); un élément semi-conducteur (7); un premier élément de connexion flexible (33) qui est électriquement connecté à l'élément semi-conducteur (7); une première pastille (30) qui est connectée au premier élément de connexion flexible (33); et un second substrat (10) qui comprend une bosse (15) et une ligne de câblage (12). Le second substrat (10) est un substrat céramique fritté à basse température (11) qui comprend des ions de métal alcalin. La première pastille (30) est couplée à la ligne de câblage (12) par l'intermédiaire de la bosse (15). Dans une vue en plan à partir d'une direction le long de la perpendiculaire de la première surface (6), au moins une partie de la première pastille (30) est superposée sur l'élément semi-conducteur (7). Ainsi, l'appareil à semi-conducteur (1) peut être miniaturisé.